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如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？

  • 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器，而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置GaN驅(qū)動器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡單的專用GaNFET驅(qū)動器（如 LT8418)外，市場上還存在針對GaN的復(fù)雜降壓和升壓控制器（如LTC7890, LTC7891)。 目前的
  • 關(guān)鍵字： ADI  GaNFET  DC-DC  

GaN FET與硅FET的比較

  • GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。
  • 關(guān)鍵字： GaNFET  硅FET  
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