聯(lián)華電子與ARM擴展28納米硅智財合作

　　聯(lián)華電子與ARM日前共同宣布，協(xié)議將在聯(lián)華電子28納米高效能低功耗(HLP)制程上，提供ARM Artisan物理IP平臺與POP IP。

　　為了支持各種不同的消費電子產品客戶，諸如智能手機、平板電腦、無線通信與數(shù)字家庭等，聯(lián)華電子與ARM簽署了此份協(xié)議，將提供先進制程以及完整的物理IP平臺。

　　聯(lián)華電子負責硅智財與設計支持的簡山杰副總表示：「聯(lián)華電子秉持著“United for Excellence”追求卓越的精神，與硅智財供貨商密切合作，提供優(yōu)質設計支持解決方案給我們的晶圓專工客戶。聯(lián)華電子28納米的雙制程技術藍圖，同時包含了Poly SiON與HKMG技術，就功耗、效能與面積而言，28HLP是業(yè)界最具競爭力的28納米Poly SiON制程技術，完善的設計平臺可協(xié)助我們移動與通訊產品客戶，加速其產品上市時程。此次欣見聯(lián)華電子與ARM擴大了合作范疇，納入高度普及的ARM POP IP核心硬化加速技術，藉此將可進一步地強化本公司28HLP平臺?！?/p>

　　高效節(jié)能的ARM Cortex-A7處理器現(xiàn)已廣獲智能手機、平板電腦、數(shù)字電視與其他消費電子產品所采用。結合POP IP 所優(yōu)化的Cortex-A7處理器, 在聯(lián)華電子28HLP制程平臺的目標效能可達1.2GHz，已于2013年12月推出。

　　聯(lián)華電子28HLP制程系優(yōu)化的28納米Poly-SiON技術，可提供面積，速度與漏電流之間最佳的平衡。因而此制程成為各種需兼顧低功耗與高效能應用產品的理想選擇，例如可攜式、無線局域網(wǎng)絡及消費性手持產品等。此28HLP制程目前已在客戶產品試產階段，預計于2014年初開始量產。

　　「透過與聯(lián)華電子的緊密合作，ARM物理IP與POP IP將可促進優(yōu)化的系統(tǒng)單芯片實作，并簡化設計流程，使得雙方客戶能夠快速地實現(xiàn)芯片產品。」ARM執(zhí)行副總兼物理IP部門總經理Dipesh Patel表示，「ARM的標準cell、次世代內存編譯器及POP IP，可完全滿足聯(lián)華電子客戶對于功能、質量與硅驗證上的嚴格要求，同時也將延續(xù)本公司在提供晶圓專工領導者最佳物理IP平臺上的承諾?！?/p>