半導(dǎo)體晶體管電路設(shè)計(jì)須知（一）

　　這是因?yàn)?，所有的晶體管測(cè)試程序，都是以規(guī)格書(shū)上所提供的參數(shù)范圍，來(lái)作為差別晶體管合格與否的標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)反向擊穿電壓而言，只要比規(guī)格書(shū)上所規(guī)定的值大，就判為合格。如果你測(cè)量到的反向擊穿電壓要遠(yuǎn)高于規(guī)格書(shū)，不要以為供應(yīng)商以后發(fā)給你的貨，都是具有與此相同的電壓特性，供應(yīng)商所提供的商品，永遠(yuǎn)只會(huì)承諾以規(guī)格書(shū)為準(zhǔn)，也只能是以規(guī)格書(shū)為準(zhǔn)提供商品。規(guī)格書(shū)上所承諾的，是實(shí)際的，而其它，都是虛的。因此，建議在設(shè)計(jì)選型時(shí)，一定要以規(guī)格書(shū)為準(zhǔn)，并留下足夠的余量，而不是以實(shí)物的測(cè)試值為準(zhǔn)。

　　在一些高反壓晶體管的規(guī)格書(shū)上，有些反向擊穿電壓以BVcer和BVcbr來(lái)表述。此種表述的含義是：

　　BVcer ——基極與發(fā)射極之間，接有一只KΩ量綱的電阻，其它測(cè)試原理、測(cè)試條件與BVceo相同。同樣，BVcbr在測(cè)試晶體管的C-B結(jié)的反向擊穿電壓時(shí)，其晶體管的發(fā)射極不是懸空，而是通過(guò)一只KΩ量綱的電阻接到“零電位”。晶體管的反向擊穿電壓高低的排列是： BVcbo≥BVcbr》BVcer》BVceo。


一、巧用晶體管測(cè)試儀增加高壓包在路測(cè)量功能

　　如果要增加高壓包在路測(cè)量功能，將下圖中K為反壓測(cè)試按鈕VBR、Rl、Q1、Ll、L2組成自激振蕩電路，Dl、D2、D3與Cl、C2、C3、C4、C5、C6構(gòu)成倍壓整流電路，D4為次級(jí)線圈L4的整流電路。在次級(jí)空載的情況下，測(cè)試L4兩端的輸出電壓為250Vp-p，頻率約為5000 Hz。L3與L4輸出電壓之和大于400 Vp-p。

　　改制方法：由于L4兩端電壓為中壓，電流較小，而L3與L4輸出電壓之和大于400

　　Vp-p，雖然電流也不大，但是從安全角度考慮，選用L4兩端作為脈沖信號(hào)的輸出端，引出兩根帶鱷魚(yú)夾的導(dǎo)線作為測(cè)試信號(hào)線。

　　測(cè)試方法如下：　　斷開(kāi)“高壓包”初級(jí)任意一端，同時(shí)拔掉尾座(目的是斷開(kāi)燈絲繞組，因?yàn)闊艚z電壓很低，對(duì)于測(cè)試儀來(lái)說(shuō)，相當(dāng)于“高壓包”次級(jí)負(fù)載短路)，將測(cè)試儀信號(hào)引出夾夾在“高壓包”的初級(jí)，按壓反壓測(cè)試按鈕VBR，如果“高壓包”內(nèi)部無(wú)短路，外部負(fù)載也無(wú)短路，則測(cè)試儀表針偏轉(zhuǎn)(只要偏轉(zhuǎn)既可)。如果表針不偏轉(zhuǎn)，則說(shuō)明“高壓包”內(nèi)部或外部負(fù)載有短路，可用萬(wàn)用表R×1kΩ電阻檔，紅表筆接地，黑表筆分別測(cè)試“高壓包”

　　次級(jí)180V、12V、26V等整流二極管負(fù)極，大致判斷幾個(gè)“二次”供電電路有無(wú)短路。若表針指示均有一定阻值，則可以判斷“高壓包”內(nèi)部短路，可去掉“高壓包”進(jìn)一步開(kāi)路測(cè)試確認(rèn)。

　　說(shuō)明：

　　(1)所有測(cè)試過(guò)程，均應(yīng)在主機(jī)不通電的狀況下進(jìn)行，否則，可能造成人身安全事故或者使故障擴(kuò)大。

　　(2)測(cè)試儀測(cè)量的范圍，可以是任何開(kāi)關(guān)電源、任何行掃描電路。所以對(duì)于VCD、DVD、顯示器、復(fù)印機(jī)、錄像機(jī)等，都有其用武之地。

　　(3)對(duì)于“高壓包”的層間短路，由于用萬(wàn)用表可以很方便的檢查出來(lái)，所以本改進(jìn)不測(cè)試層間短路，也不能測(cè)試。