基于鐵電存儲(chǔ)器FM25640在電表數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的應(yīng)用

0 引言

在電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣，存儲(chǔ)器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測(cè)量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種。但這三種方案均存在著缺陷。其中SRAM加后備電池的方法增加了硬件設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，同時(shí)由于加了電池又降低了系統(tǒng)的可靠性；而EEPROM的可擦寫(xiě)次數(shù)較少(約10萬(wàn)次)，且寫(xiě)操作時(shí)間較長(zhǎng)(約10 ms)；而NVRAM的價(jià)格問(wèn)題又限制了它的普及應(yīng)用。因此，工程人員在設(shè)計(jì)電能表的存儲(chǔ)模塊時(shí)，往往要花很大的精力來(lái)完善方案，才能使電表數(shù)據(jù)準(zhǔn)確無(wú)誤的寫(xiě)入存儲(chǔ)器中。鑒于以上情況，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)。鐵電存儲(chǔ)器具有以下幾個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)：

(1)讀寫(xiě)速度快。串口FRAM的時(shí)鐘速度可達(dá)20 MHz，并口FRAM的訪問(wèn)速度達(dá)70 ns，幾乎無(wú)須任何的寫(xiě)入等待時(shí)間，可認(rèn)為是實(shí)時(shí)寫(xiě)入，所以不用擔(dān)心掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失；

(2)擦寫(xiě)次數(shù)多。一般認(rèn)為FRAM的擦寫(xiě)次數(shù)為100億次，而最新的鐵電存儲(chǔ)器的寫(xiě)入次數(shù)可達(dá)一億億次，這幾乎可以認(rèn)為是無(wú)限次；

(3)超低功耗。FRAM的靜態(tài)工作電流小于10μA，讀寫(xiě)電流小于150μA。

目前，鐵電存儲(chǔ)器的主要生產(chǎn)商Ramtron公司的FRAM主要包括串行FRAM和并行FRAM兩大類(lèi)。而串行FRAM由于可節(jié)省大量的管腳而得到更為廣泛的應(yīng)用。實(shí)際上，串行接口FRAM又分為I2C和SPI兩種接口。經(jīng)過(guò)多方比較，本設(shè)計(jì)選擇帶有SPI接口的FM25640來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。

1 FM25640芯片介紹

1.1 FM25640的主要特性

FM25640為64Kb的非易失性鐵電存儲(chǔ)器，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位，具有100億次的讀寫(xiě)次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式03，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，采用8腳SOP或DIP封裝。

1.2 引腳功能

FM25640的引腳圖如圖1所示。各引腳的具體功能如下：

CS：片選，低電平有效。當(dāng)它為高電平時(shí)，所有的輸出處于高阻態(tài)，芯片忽略其它輸入；當(dāng)它為低電平時(shí)，芯片功能開(kāi)啟，并根據(jù)SCK的信號(hào)而動(dòng)作。

SO：串行輸出。數(shù)據(jù)輸出引腳。

WP：寫(xiě)保護(hù)，低電平有效時(shí)，將阻止向狀態(tài)寄存器進(jìn)行寫(xiě)操作。

VSS：電源地。

SI：串行輸入。數(shù)據(jù)輸入引腳。

SCK：串行時(shí)鐘。

HOLD：保持端口，低電平有效。當(dāng)SCK為低電平且該腳亦為低電平時(shí)，暫停當(dāng)前的操作。而當(dāng)SCK為低電平而HOLD為高電平時(shí)，則恢復(fù)被暫停的操作。

VDD：5 V引腳電源。

1.3 SPI接口

FM25640帶有高速SPI(Serial Peripheral Interface)接口。在通過(guò)它來(lái)進(jìn)行串行通信時(shí)，其最大可以達(dá)到5 MHz的操作速度。