鐵電存儲器 文章 進入鐵電存儲器技術(shù)社區(qū)
富士通：鐵電存儲器我也很牛的！
- 鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM，F(xiàn)RAM;或稱FeRAM)由于結(jié)合了ROM與RAM的優(yōu)勢，具備非揮發(fā)性、高速寫入、高耐受度、低功耗等方面的條件，在這幾年來不斷擴大市場版圖，特別是在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域備受矚目;隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)崛起，F(xiàn)RAM也可望在各類智慧連網(wǎng)裝置上找到更多新應(yīng)用商機。 在FRAM技術(shù)領(lǐng)域耕耘15年的日商富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量產(chǎn) FRAM 元件以來，全球出貨量累計已超過25億顆，具備多樣化的產(chǎn)品種類選擇;
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FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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鐵電存儲器及其在電表存儲中的應(yīng)用
- SPI接口是一種時鐘和數(shù)據(jù)同步的串行接口，應(yīng)使用SO、SI、SCK、CS四個引腳，可與任何具有SPI接口的MCU直接連接。...
- 關(guān)鍵字： 鐵電存儲器 SCK 數(shù)據(jù)存儲 DIP封裝 串行輸出 電壓有效值 脈沖輸出 寄存器設(shè)置 SPCR 液晶驅(qū)動
鐵電存儲器FM25640及其在電表數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用
- 0 引言 在電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲器的選擇也是多種多樣，存儲器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種。但這三種方案均存在著缺陷。其中SRAM加后備電池的方法增加了硬件設(shè)計的復雜性，同時由于加了電池又降低了系統(tǒng)的可靠性；而EEPROM的可擦寫次數(shù)較少(約10萬次)，且寫操作時間較長(約10 ms)；而NVRAM的價格問題又限制了它的普及應(yīng)用。因此，工程人員在設(shè)計電能表的存儲模塊時，
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鐵電存儲器介紹
鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 首先要說明的是鐵電存儲器和浮動柵存儲器的技術(shù)差異?，F(xiàn)有閃存和EEPROM都是采用浮動柵技術(shù)，浮動柵存儲單元包含一個電 [ 查看詳細 ]
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