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ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器

作者: 時(shí)間:2025-07-30 來(lái)源:EEPW 收藏

全球知名半導(dǎo)體制造商(總部位于日本京都市)近日宣布,推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動(dòng)的便攜式測(cè)量?jī)x、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測(cè)器等小型應(yīng)用中的測(cè)量放大器。

近年來(lái),隨著便攜式測(cè)量?jī)x和可穿戴設(shè)備等由電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用對(duì)控制精度要求的不斷提高,用于量化溫度、濕度、振動(dòng)、壓力、流量等參數(shù)的傳感器以及用來(lái)放大傳感器信號(hào)的的重要性日益凸顯。另一方面,在致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)等大背景下,應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化已成為當(dāng)務(wù)之急,對(duì)單個(gè)器件也提出了同樣的要求。在這種背景下,通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化多年來(lái)積累的“工藝技術(shù)”、“封裝技術(shù)”和“Nano Energy?電路技術(shù)”,開(kāi)發(fā)出滿足“小型化”、“低靜態(tài)電流”和“高精度”三大需求的。

新產(chǎn)品通過(guò)采用引腳間距縮小至0.35mm的WLCSP*1封裝,實(shí)現(xiàn)1mm2以下的超小尺寸,同時(shí)兼具超低靜態(tài)電流特性,工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低的160nA(Typ.)。由此,該新產(chǎn)品不僅能在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高密度安裝,還能大大延長(zhǎng)電池壽命和應(yīng)用產(chǎn)品的續(xù)航時(shí)間。

另外,新產(chǎn)品的輸入失調(diào)電壓*2在低靜態(tài)電流運(yùn)算放大器中表現(xiàn)尤為突出,最大僅為0.55mV,比普通產(chǎn)品減少約45%。輸入失調(diào)電壓溫漂*3也能保證最大僅7μV/℃,即使在易受外部溫度影響的設(shè)備中也能實(shí)現(xiàn)高精度工作。

此外,若搭配的超小型通用電阻器MCR004(0402尺寸)和MCR006(0603尺寸)作為運(yùn)算放大器的增益調(diào)節(jié)等外圍元件使用,可進(jìn)一步提升設(shè)計(jì)的靈活性。0402尺寸還提供環(huán)保型無(wú)鉛電阻產(chǎn)品MCR004E。

新產(chǎn)品已于2025年6月開(kāi)始暫以2萬(wàn)個(gè)/月的規(guī)模投入量產(chǎn)。此外,新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷售(樣品價(jià)格300日元/個(gè),不含稅)。為便于客戶進(jìn)行初期評(píng)估和替換研究,ROHM還提供可支持SSOP5封裝的裝有IC的轉(zhuǎn)接板。

未來(lái),ROHM將持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品的小型化,同時(shí)利用自有的超低靜態(tài)電流技術(shù)進(jìn)一步降低運(yùn)算放大器的功耗。另外,ROHM還將持續(xù)致力于提升產(chǎn)品在低噪聲、低失調(diào)電壓和擴(kuò)大電源電壓范圍等方面的性能,并通過(guò)提升應(yīng)用產(chǎn)品的控制精度為解決社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。

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<產(chǎn)品主要特性>

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<應(yīng)用示例>

?消費(fèi)電子:可穿戴設(shè)備、智能設(shè)備、人體感應(yīng)傳感器等

?工業(yè)設(shè)備:氣體探測(cè)器、火災(zāi)報(bào)警器、便攜式測(cè)量?jī)x、各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備用的環(huán)境傳感器等

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<電商銷售信息>

發(fā)售時(shí)間:2025年6月起

電商平臺(tái):新產(chǎn)品在電商平臺(tái)將逐步發(fā)售。

?產(chǎn)品型號(hào):TLR1901GXZ-E2

?裝有IC的轉(zhuǎn)接板:TLR1901GXZ-EVK-001

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<關(guān)于Nano Energy?>

Nano Energy?是指通過(guò)融合ROHM垂直整合型生產(chǎn)體制中的“電路設(shè)計(jì)”、“布局”和“工藝”三大先進(jìn)模擬技術(shù),實(shí)現(xiàn)了納安(nA)級(jí)電路電流的超低靜態(tài)電流技術(shù)。該技術(shù)不僅可以延長(zhǎng)電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,還有助于不希望增加功耗的工業(yè)設(shè)備等實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。

?Nano Energy?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

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<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

*1)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)

在晶圓狀態(tài)下完成引腳成型和布線,隨后切割成芯片的超小型封裝。與將晶圓切割成芯片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同,這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大小,因此可以縮減封裝的尺寸。

*2)輸入失調(diào)電壓

運(yùn)算放大器輸入引腳間產(chǎn)生的誤差電壓。

*3)輸入失調(diào)電壓溫漂

溫度升降導(dǎo)致輸入失調(diào)電壓的波動(dòng)。該波動(dòng)量越小,運(yùn)算放大器的精度越高。


評(píng)論


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