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英特爾新“200S Boost”功能:內(nèi)存超頻提升7%游戲性能

—— 內(nèi)存和結(jié)構(gòu)超頻現(xiàn)在包含在保修包裝中。
作者: 時(shí)間:2025-04-22 來源:Toms hardware 收藏

根據(jù)消息人士與 Tom's Hardware 共享的文件,將于明天為其 Arrow Lake 處理器宣布一項(xiàng)新的“Intel ”功能,該功能旨在通過為包括在內(nèi)的超頻功能子集提供官方保修來提升。正如您在下面看到的,我們?cè)谡桨l(fā)布之前對(duì)新功能進(jìn)行了一系列測(cè)試,發(fā)現(xiàn)其增益總體上符合我們對(duì)的預(yù)期,比官方支持的內(nèi)存速度平均提高了 7.5%。

眾所周知,的 Arrow Lake 芯片在發(fā)布時(shí)提供了令人失望的——事實(shí)上,它們甚至比自己的上一代型號(hào)都慢得多。此后,該公司糾正了多個(gè)發(fā)布日問題,但這并沒有改善整體性能。新方法旨在利用幾個(gè)現(xiàn)有功能并將它們打包在保修保護(hù)傘下,就像 AMD 推出 105W 模式來提高其性能不佳的 65W Ryzen 9000 型號(hào)的性能一樣。但是,英特爾尚未發(fā)布新功能的任何官方性能預(yù)測(cè)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202504/469633.htm

英特爾酷睿 Ultra 9 285K

Intel 功能通過在易于使用的一鍵式 BIOS 配置文件中啟用一些超頻功能來增強(qiáng) Arrow Lake K 系列處理器的性能,但新設(shè)置不會(huì)影響超出當(dāng)前保修限制的 CPU 時(shí)鐘速度或電源設(shè)置。相反,這些調(diào)整優(yōu)化了特定的內(nèi)存和結(jié)構(gòu)速度,這標(biāo)志著英特爾首次為因 XMP 配置文件或調(diào)整結(jié)構(gòu)速度而導(dǎo)致的潛在芯片損壞提供官方保修服務(wù)。

然而,有幾個(gè)警告,這些調(diào)整已經(jīng)為發(fā)燒友和超頻社區(qū)所熟知。首先,英特爾現(xiàn)在在其保修范圍內(nèi)涵蓋“高達(dá)”DDR5-8000 內(nèi)存速度;但是,并非所有芯片都能達(dá)到該速度,并且由于該方法仍被視為超頻,因此英特爾不保證 XMP 配置文件的系統(tǒng)穩(wěn)定性。正如我們?cè)谙旅嫜菔镜哪菢?,更?shí)惠且易于支持的 DDR5-7200 套件在我們測(cè)試的大多數(shù)游戲和應(yīng)用程序中提供幾乎相同的性能。

Intel 規(guī)格

Core Ultra 200S Stock (K 系列)

200 秒加速

電壓限制

D2D 技術(shù)

2.1

高達(dá) 3.2 GHz

VccSA ≤ 1.2V

NGU 面料

2.1

高達(dá) 3.2 GHz

VccSA ≤ 1.2V

DDR5 速度 (UDIMM/CUDIMM) 1DPC

DDR5-6400 的

最高可配置 DDR5-8000

VDD2 ≤ 1.4V 和 VccSA ≤ 1.2V (DIMM - VDDQ 和 VDD ≤ 1.4V)

200S Boost 功能將集成到主要主板供應(yīng)商的 BIOS 修訂版中,預(yù)計(jì)明天至少有幾家 OEM 將提供 BIOS 更新。該功能將僅在 Z 系列主板上實(shí)現(xiàn),鑒于英特爾現(xiàn)在支持 B 系列主板上的內(nèi)存超頻,這是一個(gè)奇怪的限制。它也僅適用于 K 和 KF 系列 SKU。

200S Boost 配置文件還提高了下一代非核心 (NGU/SA Fabric) 的速度,從而支持各種芯片元件之間的通信,例如 CPU 內(nèi)核、內(nèi)存控制器和其他組件。該接口從其標(biāo)準(zhǔn)的 2.6 GHz 速度升級(jí)到 3.2 GHz。此外,Die-to-Die (D2D) 通信結(jié)構(gòu)(作為 Arrow Lake 芯片內(nèi)部的計(jì)算和 SOC tile或dies之間的橋梁)從其庫(kù)存的 2.1 GHz 增加到 3.2 GHz。

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾顯然也對(duì)主板供應(yīng)商突破其 BIOS 設(shè)置的限制持謹(jǐn)慎態(tài)度(眾所周知,他們這樣做了),從而造成另一個(gè)潛在的芯片可靠性問題。因此,該公司還圍繞該功能建立了幾個(gè)護(hù)欄,具有嚴(yán)格的限制,以防止主板制造商更改任何其他功能,例如 CPU 時(shí)鐘速度或功率閾值,作為 200S Boost 設(shè)置的一部分。Intel 還為 System Agent 和內(nèi)存設(shè)置了不能超過的電壓上限。您不能使用超過 DIMM 電壓額定值的 XMP 套件。上表中列出了限制。

OEM 可以在這些約束范圍內(nèi)定制其電壓和速度設(shè)置,以優(yōu)化其產(chǎn)品的性能。最終用戶對(duì)時(shí)鐘或其他設(shè)置的任何手動(dòng)作都將自動(dòng)禁用 200S Boost 配置文件,將您恢復(fù)到手動(dòng)超頻。此功能還會(huì)鎖定超頻郵箱以防止基于作系統(tǒng)的超頻。最后,200S Boost 完全是可選的;默認(rèn)情況下,它不能在 BIOS 中啟用,需要用戶打開它。

英特爾 200S Boost 獨(dú)立于英特爾性能優(yōu)化 (IPO) 計(jì)劃,該計(jì)劃是英特爾和系統(tǒng)集成商 (SI) 之間針對(duì)中國(guó)的合作,旨在促進(jìn)更強(qiáng)大的超頻,包括時(shí)鐘速度和功率設(shè)置。但是,SI 為該計(jì)劃提供保修,并且 Intel 目前沒有將 IPO 計(jì)劃引入其他地區(qū)的計(jì)劃。

現(xiàn)在讓我們來看看基準(zhǔn)測(cè)試。

Intel 200S 提升

200S Boost 功能建立在 MR1 或更高版本的固件之上。我們?cè)?MSI MEG Z890 ACE 主板上使用 Core Ultra 9 285K 進(jìn)行了測(cè)試,該主板的 .1A53 BIOS 版本支持添加該功能,盡管尚未明確啟用。我們只是在此 BIOS 中為該功能重新創(chuàng)建了正確的設(shè)置,并且接近此事的消息來源已證實(shí)我們的結(jié)果符合一般預(yù)期。

我們?cè)?16 款 1080p 游戲中測(cè)試了 6 種配置和 3 種內(nèi)存速度。經(jīng)過測(cè)試的內(nèi)存速度包括帶有 JEDEC 時(shí)序的庫(kù)存 DDR5-6400,這是英特爾之前的保修限制,以及我們用于 CPU 評(píng)測(cè)的成本和兼容性友好的 DDR5-7200 速度(兩者均為 32GB G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-7200 套件)。我們還使用 32GB Patriot Extreme 5 DDR5-8000 套件進(jìn)行了測(cè)試,以測(cè)量支持的峰值 XMP 速度。

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

第一張幻燈片顯示了我們使用 RTX 5090 Founders Edition 進(jìn)行的游戲測(cè)試的幾何平均值。我們?cè)趲?kù)存設(shè)置和列出的內(nèi)存速度(在圖表中標(biāo)記為庫(kù)存)下測(cè)試了面料的不同內(nèi)存速度,然后在將面料速度提高到更高的 3.2 GHz 閾值(標(biāo)記為“200S Boost”)后重新測(cè)試。

性能的最大提升無疑來自內(nèi)存超頻。從原來的 DDR5-6400 配置升級(jí)到具有結(jié)構(gòu)超頻 (200S Boost) 的峰值 DDR5-8000,我們的整體測(cè)量性能提高了 7.5%。當(dāng)然,性能提升因游戲而異,從《瘟疫傳說:安魂曲》的 3.7% 到《博德之門 3》的 11.6% 增長(zhǎng)。每場(chǎng)比賽的結(jié)果通常徘徊在 7% 到 9% 的范圍內(nèi)。受益最大的標(biāo)題只是對(duì)內(nèi)存敏感的標(biāo)題,所以這里沒有什么驚喜。

與許多其他插座一樣,我們使用 DDR5-7200 XMP 配置文件作為默認(rèn)內(nèi)存配置進(jìn)行測(cè)試。我們選擇這種速度是因?yàn)樗艿酱蠖鄶?shù)芯片的廣泛支持(在某些芯片或主板上可能會(huì)遇到 DDR5-8000 UDIMM 的問題),而且它更實(shí)惠——32GB DDR5-8000 套件通常具有 45 至 60 美元(43% 至 57%)的溢價(jià),但提供的寶貴額外性能卻很少。

我們?cè)诮Y(jié)果中看到這一趨勢(shì)保持強(qiáng)勁,DDR5-8000 200S Boost 配置在 1080p 游戲中的整體性能僅提高了 1.2%,幾乎難以察覺。我們對(duì)大多數(shù)愛好者的建議保持不變 — DDR5-7200 是價(jià)格和性能的最佳選擇。

我們過去曾嘗試過超頻結(jié)構(gòu)速度,但我們發(fā)現(xiàn),除非您對(duì) CPU 內(nèi)核進(jìn)行大量超頻,否則性能的提高在很大程度上并不顯著,這是不允許與 200S Boost 功能一起使用的。

為了確定結(jié)構(gòu)速度對(duì)整體性能提升的影響,我們?yōu)槊總€(gè)內(nèi)存速度在 200S Boost 和 Stock 結(jié)構(gòu)設(shè)置之間切換結(jié)構(gòu)。如您所見,它確實(shí)至少在性能上提供了一些提升,但收益無疑屬于難以察覺的范圍。例如,我們測(cè)得,在 DDR5-6400 和 DDR5-7200 配置中使用更高的結(jié)構(gòu)時(shí)鐘時(shí),性能提高了不到 1%,而在 DDR5-8000 配置中使用更高的結(jié)構(gòu)時(shí)鐘時(shí),性能提高了 1.4%。

您可以使用較小的芯片(如 Core Ultra 7 265K 和 Core Ultra 5 245K)從結(jié)構(gòu)調(diào)整中獲得更高的收益,但您應(yīng)該控制住自己的期望。

我們將在下面進(jìn)一步看到完全增強(qiáng)的 Intel 芯片如何與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相抗衡。

英特爾 200S Boost

(圖片來源:未來)

英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

(圖片來源:未來)

英特爾 200S Boost(圖片來源:未來)英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

(圖片來源:未來)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:未來)

為了盡職調(diào)查,我們通過幾個(gè)生產(chǎn)力應(yīng)用程序基準(zhǔn)測(cè)試來運(yùn)行芯片以評(píng)估影響,但結(jié)果是完全可以預(yù)見的——受益于內(nèi)存超頻的應(yīng)用程序獲得了小幅收益,而其他應(yīng)用程序則完全沒有。事實(shí)上,這些變化大多在我們預(yù)期的運(yùn)行間差異范圍內(nèi),因此您不應(yīng)期望生產(chǎn)力應(yīng)用程序會(huì)顯著提升。

競(jìng)爭(zhēng)格局基本沒有變化

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

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英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

英特爾 200S Boost

(圖片來源:Tom's Hardware)

在這里,我們將酷睿 Ultra 9 285K 的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手添加到測(cè)試結(jié)果中,正如你所看到的,情況與我們最近的測(cè)試基本保持不變。值得注意的是,我們沒有看到如此顯著的收益,因?yàn)槲覀冊(cè)谠u(píng)論中測(cè)試了所有處理器,并應(yīng)用了合理的 XMP 設(shè)置作為我們的庫(kù)存配置。

Arrow Lake 無法與英特爾自己的上一代 Raptor Lake Refresh 芯片的游戲性能相媲美這一事實(shí)是發(fā)燒友最失望的方面之一。情況仍然如此;酷睿 i9-14900K 現(xiàn)在比 285K 快 6.5%,而在我們之前的測(cè)試中快了 9%(兩者均在 DDR5-7200 上)。這種變化不足以徹底改變 Intel 芯片之間的價(jià)值方程式。

與 AMD 的競(jìng)爭(zhēng)機(jī)型相比,情況仍然很艱難——285K 現(xiàn)在比 Ryzen 9 9950X 慢了約 3%,大約將兩者之間的距離減半,使其更接近平局,但游戲優(yōu)化的 X3D 芯片繼續(xù)以近乎荒謬的數(shù)量占據(jù)主導(dǎo)地位。在這里,便宜得多的 Ryzen 7 9800X3D 及其高級(jí)同類產(chǎn)品 Ryzen 9 9950X3D 在游戲中仍然保持 30%+ 的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),因此如果您嚴(yán)格專注于游戲性能,它仍然是沒有競(jìng)爭(zhēng)的。

盡管增加了新的結(jié)構(gòu)調(diào)整并支持高達(dá) DDR5-8000,但我們?nèi)匀唤ㄗh大多數(shù)用戶堅(jiān)持使用 DDR5-7200 — 升級(jí)到 DDR5-8000 會(huì)產(chǎn)生巨大的成本,而性能僅提高約 1%。

總體而言,新的 200S Boost 功能并沒有改變競(jìng)爭(zhēng)格局,但它確實(shí)為不太高級(jí)的用戶提供了一個(gè)易于使用的選項(xiàng),以獲得額外的幾個(gè)百分點(diǎn)的性能。為與有限的 XMP 內(nèi)存或結(jié)構(gòu)超頻相關(guān)的損壞增加保修范圍很好,但適度的內(nèi)存超頻在任何一種情況下通常都相當(dāng)安全。

英特爾預(yù)計(jì)將在明天正式宣布 200S Boost 功能,我們將根據(jù)需要跟進(jìn)更多細(xì)節(jié)。



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