三星電子調(diào)派2000名工程師至平澤工廠(chǎng)，強(qiáng)化HBM技術(shù)研發(fā)

據(jù)報(bào)道，三星電子近期進(jìn)行了大規(guī)模人事調(diào)整，調(diào)派約2000名工程師至位于韓國(guó)平澤的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，旨在解決高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)。 然而，三星公司否認(rèn)了這些說(shuō)法，稱(chēng)其毫無(wú)根據(jù)。

韓國(guó)媒體指出，此次人事調(diào)整由三星設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)執(zhí)行副總裁兼負(fù)責(zé)人Jun Young-hyun主導(dǎo)，旨在提升先進(jìn)DRAM工藝的良品率，并應(yīng)對(duì)三星在HBM領(lǐng)域的技術(shù)差距。 據(jù)悉，超過(guò)2000名來(lái)自三星器興和華城園區(qū)的工程師被重新分配至平澤工廠(chǎng)，以加強(qiáng)生產(chǎn)過(guò)程管理和產(chǎn)品質(zhì)量。 此次調(diào)整主要針對(duì)在從開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)過(guò)渡階段專(zhuān)注于優(yōu)化良品率的工程師。

三星正加速其平澤P4工廠(chǎng)的設(shè)備采購(gòu)，預(yù)計(jì)將開(kāi)始第六代10納米級(jí)DRAM（1c DRAM）的量產(chǎn)。 然而，三星的HBM3E產(chǎn)品據(jù)稱(chēng)未能達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可能無(wú)法進(jìn)入英偉達(dá)的供應(yīng)鏈。 據(jù)報(bào)道，三星對(duì)未能滿(mǎn)足英偉達(dá)的HBM標(biāo)準(zhǔn)表示歉意，并對(duì)未來(lái)的突破表示樂(lè)觀。

此外，SK海力士計(jì)劃在2025年底前轉(zhuǎn)向3納米工藝生產(chǎn)HBM4產(chǎn)品，這可能會(huì)擴(kuò)大其與三星之間的技術(shù)差距。 三星正在探索使用3納米工藝生產(chǎn)HBM4芯片的可能性，以保持競(jìng)爭(zhēng)力。

此次人事調(diào)整和戰(zhàn)略部署，體現(xiàn)了三星電子在人工智能和高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)內(nèi)存解決方案的重視，以及其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的決心。