當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí)，為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓？

什么是自舉電容？

自舉電容負(fù)責(zé)維持頂部N溝道MOSFET正常運(yùn)行。圖1的橙色高亮部分顯示了這一點(diǎn)。

圖1.LT8610數(shù)據(jù)手冊(cè)中展示自舉電容功能的框圖。

當(dāng)頂部N溝道MOSFET閉合時(shí)，開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電位與輸入源大致相同。這意味著頂部MOSFET的源極電壓高于柵極電壓（來自柵極驅(qū)動(dòng)器）。若沒有高于NMOS閾值電壓的正柵源電壓，MOSFET將無法導(dǎo)通。因此，需要使用自舉電容來確保柵極電壓始終高于源極電壓。

忽略自舉電容

省略自舉電容不會(huì)給設(shè)計(jì)人員帶來什么明顯的好處，這樣做可能是為了縮減BOM尺寸和成本，或者僅僅是忘記包含這些元件。然而，此決定會(huì)帶來負(fù)面影響，因?yàn)橐獛椭酒瑸轫敳縁ET的柵極提供足夠的電壓以使其完全導(dǎo)通，自舉電容是必不可少的，如圖2所示。

圖2.無自舉電容的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。

如果頂部FET未完全導(dǎo)通，器件將無法調(diào)節(jié)輸出電壓。FET將在線性區(qū)域內(nèi)工作，消耗大量功率并使芯片升溫。

為了解決這個(gè)問題，設(shè)計(jì)人員必須添加自舉電容。設(shè)計(jì)人員如果不確定要添加多大的電容，則應(yīng)在數(shù)據(jù)手冊(cè)示例中選擇一個(gè)最接近其應(yīng)用的值。如果器件需要自舉電容，忘記添加該電容將導(dǎo)致SMPS故障。添加自舉電容將能讓頂部柵極驅(qū)動(dòng)器有足夠的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度來操作處于飽和區(qū)的FET，使其充當(dāng)開關(guān)，并向SW節(jié)點(diǎn)提供全部輸入電壓。這一點(diǎn)可以從圖3中看出。

圖3.帶自舉電容的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。

違反最小導(dǎo)通時(shí)間規(guī)范

設(shè)計(jì)人員常常選擇較高的開關(guān)頻率以減小電路板尺寸，但由于開關(guān)損耗增加，能效比會(huì)降低。然而，當(dāng)器件具有高頻率和高降壓比時(shí)，占空比會(huì)被迫變小，并可能降至最小占空比值以下。最小占空比如公式1所示。

其中，t _min-on 定義為電感由輸入源充電的最短時(shí)間。開關(guān)轉(zhuǎn)換器具有規(guī)定的最小導(dǎo)通時(shí)間值，設(shè)計(jì)人員必須遵守該值以確保FET正常運(yùn)行（因?yàn)镕ET無法瞬間完成切換）。設(shè)計(jì)人員可以自由選擇開關(guān)頻率。然而，當(dāng)指定的開關(guān)頻率過高以及降壓比過大時(shí)，導(dǎo)通時(shí)間就會(huì)被迫低于最小值。

當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間被迫低于其最小值時(shí)，電感電流在一個(gè)周期內(nèi)的放電速度將比充電速度更快。當(dāng)新的周期開始時(shí)，起點(diǎn)將低于前幾個(gè)周期的起點(diǎn)，這種現(xiàn)象被稱為電流降。最終，電流和輸出電壓都會(huì)下降到很低的程度，以至于器件內(nèi)部產(chǎn)生更大的占空比（具有更長(zhǎng)的導(dǎo)通時(shí)間）來調(diào)節(jié)輸出電壓，如圖4所示。

圖4.違反最小導(dǎo)通時(shí)間的電流波形。

電感電流紋波的下降也會(huì)在轉(zhuǎn)換器的輸出電壓中表現(xiàn)出來。輸出電壓紋波變得更加嘈雜，這可能會(huì)影響敏感負(fù)載并降低EMI性能。此影響可以從圖5中看出。

圖5.違反最小導(dǎo)通時(shí)間的輸出波形。

這個(gè)問題有一個(gè)簡(jiǎn)單的解決辦法。導(dǎo)通時(shí)間主要受開關(guān)頻率影響，因此設(shè)計(jì)人員可以通過降低頻率來解決該問題。但這樣做的代價(jià)是需要更大的功率級(jí)元件，主要是更大的電感。降壓轉(zhuǎn)換器的功能改進(jìn)體現(xiàn)在周期間一致的導(dǎo)通時(shí)間，以及圖6中穩(wěn)定的電流紋波和圖7中穩(wěn)定的輸出紋波。

圖6.穩(wěn)定的電流紋波

圖7.穩(wěn)定的輸出紋波。

違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范

某些應(yīng)用可能需要較小的降壓比，這可能會(huì)違反轉(zhuǎn)換器的最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。t _min-off 是t _min-on 的補(bǔ)充，定義為電感未由輸入源充電的最短時(shí)間。與導(dǎo)通時(shí)間要求類似，SMPS必須關(guān)斷規(guī)定的時(shí)間以確保FET正常運(yùn)行（允許正常放電）。當(dāng)要求的占空比大于允許的最大占空比（由式2給出）時(shí)，就會(huì)違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。

如果占空比超過最大值，SMPS將折返其配置的頻率，以避免違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。這一點(diǎn)可以從圖8中看出。器件最初配置為2MHz頻率。

圖8.違反最小關(guān)斷時(shí)間的電流波形。頻率折返至335kHz。

在圖9中可以看到，隨著負(fù)載增加，器件頻率會(huì)折返以保持恒定的輸出電壓。器件在DCM下運(yùn)行至約0.28A，這就是頻率下降到約495kHz然后又回升至657kHz的原因。以657kHz的頻率運(yùn)行時(shí)，器件可以保持正常操作，直至負(fù)載達(dá)到0.7A。此時(shí)頻率降低以保持適當(dāng)?shù)妮敵鲭妷?，直至?fù)載達(dá)到1.4A左右。發(fā)生這種情況時(shí)，器件無法在保持輸出電壓的同時(shí)將頻率降低到100kHz以下（該器件指定的最低反饋頻率），因此輸出電壓開始下降。

圖9.負(fù)載調(diào)整和折返頻率。隨著負(fù)載增大，頻率會(huì)折返以維持穩(wěn)定的輸出電壓。

在圖9中可以看到，隨著負(fù)載增加，器件頻率會(huì)折返以保持恒定的輸出電壓。器件在DCM下運(yùn)行至約0.28A，這就是頻率下降到約495kHz然后又回升至657kHz的原因。以657kHz的頻率運(yùn)行時(shí)，器件可以保持正常操作，直至負(fù)載達(dá)到0.7A。此時(shí)頻率降低以保持適當(dāng)?shù)妮敵鲭妷海敝霖?fù)載達(dá)到1.4A左右。發(fā)生這種情況時(shí)，器件無法在保持輸出電壓的同時(shí)將頻率降低到100kHz以下（該器件指定的最低反饋頻率），因此輸出電壓開始下降。

這個(gè)問題的解決辦法不像違反最小導(dǎo)通時(shí)間規(guī)范那么簡(jiǎn)單。設(shè)計(jì)人員通常需要滿足特定的輸入電壓和輸出電壓要求，因此無法隨意更改占空比來延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間。如果設(shè)計(jì)人員可以提供更大的輸入電壓，則器件將以設(shè)定的頻率工作，因?yàn)檩^小占空比會(huì)防止器件違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范。這一點(diǎn)可以從圖10中看出，其中器件以設(shè)定的2MHz頻率運(yùn)行。

圖10.未違反最小關(guān)斷時(shí)間的電流波形。設(shè)定頻率為2MHz。

與最小導(dǎo)通時(shí)間相反，降低頻率只會(huì)在一定負(fù)載以下起作用。如果設(shè)計(jì)人員不能充分降低開關(guān)頻率以避免違反最小關(guān)斷時(shí)間規(guī)范，那么理想的做法是選擇另一種能夠處理更高占空比和更短導(dǎo)通時(shí)間的器件。

結(jié)論

本文重點(diǎn)討論如何讓功率晶體管保持正常運(yùn)行。占空比要求過高或過低都會(huì)使開關(guān)轉(zhuǎn)換器不穩(wěn)定，進(jìn)而造成不良后果，例如開關(guān)頻率降低、輸出電壓不穩(wěn)定以及電感在電流方面的性能不良等。此外，忽略自舉電容不僅會(huì)妨礙晶體管正常工作，還可能對(duì)負(fù)載、晶體管或芯片本身造成嚴(yán)重后果。