反向電流阻斷電路設(shè)計(jì)

反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導(dǎo)致電流反向流過(guò)系統(tǒng)。

來(lái)源：

1. MOSFET用于負(fù)載切換應(yīng)用時(shí)，體二極管變?yōu)檎蚱谩?/span>

2. 當(dāng)電源從系統(tǒng)斷開(kāi)時(shí)，輸入電壓突然下降。

需要考慮反向電流阻斷的場(chǎng)合：

1. 功率多路復(fù)用供電采用MOS控制時(shí)

2. ORing控制。ORing與功率多路復(fù)用類似，不同之處在于，不是選擇一個(gè)電源為系統(tǒng)供電，而是始終使用最高電壓為系統(tǒng)供電。

3. 斷電時(shí)，特別是輸出電容比輸入電容大得多的時(shí)候，電壓下降得慢。

危害：

1. 反向電流會(huì)損壞內(nèi)部電路和電源

2. 反向電流尖峰還會(huì)損壞電纜和連接器

3. MOS的體二極管功耗上升甚至損壞

優(yōu)化方法：

1. 采用二極管

二極管，特別是肖特基二極管，天然具有反向電流和反極性保護(hù)的功能，但是成本高，反向漏電流大，需要散熱。

2. 采用背對(duì)背的MOS

兩個(gè)方向都可以阻斷，但是占板面積大，導(dǎo)通阻抗大，成本高。

下圖中，控制三極管導(dǎo)通時(shí)，其集電極為低，兩PMOS導(dǎo)通，當(dāng)三極管關(guān)斷時(shí)，若輸出比輸入高，右側(cè)MOS體二極管導(dǎo)通，使得其D級(jí)為高，使得G級(jí)為高，左側(cè)MOS體二極管不通，同時(shí)由于MOS的VSG為體二極管壓降達(dá)不到門(mén)檻電壓，所以兩MOS關(guān)斷，這樣阻斷輸出到輸入的電流。

3. 反向MOS

反向MOS雖然可阻斷輸出到輸入的反電流，但缺點(diǎn)是從輸入到輸出總有一條體二極管通路，而且不夠智能，當(dāng)輸出大于輸入時(shí)，不能關(guān)斷MOS，還需加電壓比較電路，所以就有了后來(lái)的理想二極管。

4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)

5. 多路復(fù)用

多路復(fù)用：從兩個(gè)或更多個(gè)輸入電源之間選擇其中一個(gè)為單個(gè)輸出端供電。

6. 理想二極管

形成理想二極管有兩個(gè)目標(biāo)，一個(gè)是模擬肖特基，二是必須有輸入輸出比較電路，來(lái)使其反向關(guān)斷。