案例 | 一個傳導(dǎo)、輻射超標(biāo)整改過程分析

這是一款輸入寬電壓120-277V 60Hz，輸出48V，273mA的電源，采用Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

注：在最初的設(shè)計中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測試元件，預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測試元件；

傳導(dǎo)測試：

1、短接L2，L1=4.7mH，C1=0.1uf，C2=0.1uf，120V電壓輸入，L線傳導(dǎo)圖像：

277V電壓輸入，L線傳導(dǎo)圖像：

結(jié)果：輸入277V，將近150K的頻率讀點(diǎn)后余量少于3db

整改辦法：將C2加大到0.22uf，再次測試圖像如下：

結(jié)果：手動讀點(diǎn)，余量7.19db，驗(yàn)證N線后，無壓力通過。

輻射測試：

1、在不加磁珠FB1、不加環(huán)路電容、變壓器不包銅皮的情況下，輻射數(shù)據(jù)嚴(yán)重超標(biāo)；

2、整改方案：將如下整改位置加強(qiáng)，即：增加磁珠FB1(100M 60ohm)，環(huán)路電容C9=1nf。

結(jié)果：水平測試，余量逼近限度線；垂直測試，31MHz、41MHz、53MHz處輻射數(shù)據(jù)超標(biāo)5-10db；

3、整改方案：基于第二步，將變壓器使用銅皮進(jìn)行外部線圈包裹，同時將C9增加至2.2nf;

結(jié)果：情況無改善；

4、整改方案：基于第三步，在MOS管Q2的D、S極并接60pf電容；

結(jié)果：情況無改善；

圖像如下：

5、整改方案：重點(diǎn)關(guān)注高頻開關(guān)點(diǎn)（如下紅色圈處），調(diào)整Layout布線設(shè)計：

原有布線方案中，留意高頻開關(guān)部分（打“X”的黑線），發(fā)現(xiàn)高頻走線過長，環(huán)路面積太大：

重新布局、Layout后：

結(jié)果：

在變壓器不加銅皮、環(huán)路電容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm)的設(shè)計參數(shù)：120V 水平、垂直測試圖像

277V 60HZ 水平、垂直測試圖像：

驗(yàn)證傳導(dǎo)數(shù)據(jù)：

120V 60HZ L、N線：

277V 60HZ L、N線：

結(jié)果：測試通過。