半導體行業(yè)出現(xiàn)六項合作案！

作者：時間：2024-06-03 來源：全球半導體觀察

加入技術(shù)交流群
- 掃碼加入
  和技術(shù)大咖面對面交流
  海量資料庫查詢

自半導體行業(yè)復蘇信號釋出后，業(yè)界布局不斷，其中不乏出現(xiàn)聯(lián)電、英特爾、Soitec、神盾集團等企業(yè)身影，涉及晶圓代工、第三代半導體、芯片設計、半導體材料等領域。針對半導體行業(yè)頻繁動態(tài)，業(yè)界認為，這是一個積極的現(xiàn)象，有利于行業(yè)發(fā)展。近期，半導體企業(yè)合作傳來新的進展。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/202406/459475.htm

晶圓代工：聯(lián)電x英特爾曝進展，12nm預計2026年“收官”

5月30日，晶圓代工大廠聯(lián)電召開年度股東會，共同總經(jīng)理簡山杰表示，與英特爾合作開發(fā)12nm制程平臺將是聯(lián)電未來技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵點，預計2026年開發(fā)完成，2027年進入量產(chǎn)。

2024年1月，聯(lián)電與英特爾宣布雙方將合作開發(fā)12nm FinFET制程平臺，以因應移動、通訊基礎建設和網(wǎng)絡等市場的快速成長。雙方認為，這項長期合作結(jié)合英特爾位于美國的大規(guī)模制造產(chǎn)能，和聯(lián)電在成熟制程上豐富的晶圓代工經(jīng)驗，以擴充制程組合，同時提供更佳的區(qū)域多元且具韌性的供應鏈，協(xié)助全球客戶做出更好的采購決策。

對此，先前聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾經(jīng)表示，聯(lián)電與英特爾進行在美國制造的12nm FinFET制程合作，是聯(lián)電追求具成本效益的產(chǎn)能擴張，和技術(shù)節(jié)點升級策略的重要一環(huán)，此舉并延續(xù)聯(lián)電對客戶的一貫承諾。這項合作將協(xié)助客戶順利升級到此關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點，同時受惠于擴展位于北美市場產(chǎn)能帶來的供應鏈韌性。聯(lián)電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補優(yōu)勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術(shù)發(fā)展時程。

簡山杰在本次股東會上指出，聯(lián)電正開積極開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺相對于前一代的14nm FinFET制程技術(shù)平臺，除性能將大幅提升之外，芯片的尺寸也將變小，功耗能進一步降低，可充分發(fā)揮FinFET在性能、功耗、以及閘密度所具備的優(yōu)勢、可廣泛用于各種半導體產(chǎn)品上。聯(lián)電預計，12nmFinFET制程技術(shù)平臺預計2026年開發(fā)完成，2027年進入量產(chǎn)。

除了制程研發(fā)，聯(lián)電也正在加速產(chǎn)能進程，5月21日，聯(lián)電宣布新加坡Fab12i首批機臺設備進廠。聯(lián)電表示，聯(lián)電新加坡投入12英寸晶圓制造廠營運超過20年，新加坡Fab12i P3廠也是聯(lián)電先進特殊制程研發(fā)中心。

此外，展望2024年第二季，聯(lián)電表示，隨著電腦、消費及通訊領域的庫存狀況逐漸回到較為健康的水位，聯(lián)電預期整體晶圓出貨量將略為上升。在車用和工業(yè)領域方面，由于庫存消化速度低于預期，需求仍舊低迷。盡管短期間仍將受到總體經(jīng)濟環(huán)境的不確定性和成本壓力的影響，聯(lián)電仍將在技術(shù)、產(chǎn)能及人才方面持續(xù)投資，以確保我們能夠做好充分準備，迎接下一階段5G和AI創(chuàng)新所驅(qū)動的成長。

氮化鎵：佳恩半導體x西安電子科技大學

5月28日，青島佳恩半導體有限公司（以下簡稱“佳恩半導體”）與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

資料顯示，青島佳恩半導體有限公司一直致力于高端半導體功率器件的設計、開發(fā)、制造及銷售，作為新一代的功率半導體設計公司，佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導體核心技術(shù)，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和自主品牌。

佳恩半導體表示，此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN（氮化鎵）功率器件結(jié)構(gòu)設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，并可以使系統(tǒng)小型化、輕量化，有效降低電力電子零部件體積和重量。當前，氮化鎵（GaN）應用市場逐步擴展，正向數(shù)據(jù)中心、可再生能源以及新能源汽車市場持續(xù)推進，未來前景廣闊。

據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢研究指出，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長至13.3億美金，復合增長率高達65%。

集邦咨詢預計，至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。

碳化硅：X-Fab和Soitec將在美國得州展開合作

近日，Soitec宣布，將與純晶圓代工廠X-Fab開始合作，在X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠提供Soitec的SmartSiC技術(shù)用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。

此次合作是在評估階段成功完成之后進行的，在此期間，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec將通過聯(lián)合供應鏈寄售模式為X-Fab的客戶提供SmartSiC襯底的使用權(quán)。

據(jù)悉，Soitec正在其位于法國格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠加大Smart SiC襯底的產(chǎn)量。而X-Fab正在拉伯克工廠提高SiC器件的生產(chǎn)能力。

碳化硅 (SiC) 是一種化合物半導體材料，具有固有特性，在功率應用中比硅具有卓越的性能和效率。隨著新能源汽車、光儲充等市場需求推動，SiC功率器件用量持續(xù)走高。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%。

半導體材料：南京大學x江蘇富樂德半導體

據(jù)東臺高新區(qū)消息，5月26日，“南京大學—江蘇富樂德半導體洗凈校企聯(lián)合研究中心”揭牌儀式在富樂德石英東臺工廠舉行。

該中心由江蘇富樂德石英科技有限公司和南京大學合作共建，雙方將圍繞“半導體非金屬零部件洗凈”領域，基于研究團隊在化學、材料等技術(shù)方向的研發(fā)積累，重點聚焦于半導體、太陽能、光刻機相關(guān)產(chǎn)業(yè)方向展開深入研究，致力于關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、科技成果轉(zhuǎn)化、高端人才匯聚、智慧應用方案落地。

資料顯示，江蘇富樂德石英科技有限公司于2018年落戶東臺高新區(qū)，主要從事磁性流體、熱電半導體致冷材料與器件、精密石英等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品廣泛應用于半導體芯片、大規(guī)模集成電路、汽車、航空航天、醫(yī)療器械等行業(yè)。

據(jù)官網(wǎng)信息，F(xiàn)errotec（中國）從事半導體硅片、熱電半導體致冷材料與器件、半導體石英制品、精密陶瓷制品、半導體真空傳動裝置及大型腔體、電子束蒸發(fā)鍍膜機、精密洗凈、覆銅陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半導體裝備、單晶爐等產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，產(chǎn)品涉及電子、半導體、機械加工、太陽能發(fā)電、汽車/新能源汽車、家用電器和醫(yī)療器械等眾多領域。

其中，關(guān)于洗凈再生技術(shù)，F(xiàn)errotec（中國）官網(wǎng)指出，該技術(shù)是通過化學和物理的方法把精密parts上的膜質(zhì)或其它粒子清除掉，再運用物理與化學拋光、噴砂、熱噴涂和電鍍表面處理的方法再生處理parts表面，使其達到循環(huán)再使用的功能。Ferrotec（中國）重點洗凈項目包括半導體12nm清洗，該公司主要致力研發(fā)半導體12nm logic的清洗工藝，并保證工藝穩(wěn)定性，以達到量產(chǎn)目的。