Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

—— 該SiP系列現(xiàn)已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，為支持新一代適配器和充電器拓展了功率等級(jí)

作者：時(shí)間：2024-04-25 來(lái)源：EEPW

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全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN^?平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/202404/458071.htm

新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款全新器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對(duì)即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應(yīng)OCP補(bǔ)償和自適應(yīng)綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡(jiǎn)的設(shè)計(jì)方案，更快地設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

偉詮電子市場(chǎng)推廣副總裁Wayne Lo表示：“去年，我們推出了首款SiP氮化鎵器件，這是偉詮電子發(fā)展歷程中的一個(gè)重要里程碑。對(duì)于AC-DC電源產(chǎn)品市場(chǎng)，SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進(jìn)入市場(chǎng)策略（Go-To-Market Strategy）。今天發(fā)布的新產(chǎn)品表明，我們將繼續(xù)為該應(yīng)用領(lǐng)域提供更多的器件選擇，支持更廣泛的產(chǎn)品功率級(jí)?；?Transphorm SuperGaN平臺(tái)并采用整體封裝解決方案，可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設(shè)計(jì)的高性能電源，這是 Transphorm氮化鎵器件的獨(dú)特之處。”

終端產(chǎn)品制造商想方設(shè)法開(kāi)發(fā)物料（BOM）成本更低、但同時(shí)又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外，針對(duì)許多應(yīng)用場(chǎng)景，制造商還希望提供具有多個(gè)端口和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案，產(chǎn)品外形都要做到更小、更輕。

Transphorm常閉型d-mode SuperGaN技術(shù)平臺(tái)的主要優(yōu)勢(shì)包括：同類最佳的穩(wěn)固性（+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比硅器件高50%。偉詮電子精簡(jiǎn)的SiP設(shè)計(jì)，利用了上述GaN器件優(yōu)勢(shì)以及自身的創(chuàng)新技術(shù)，打造出一款近乎即插即用的解決方案，縮小外形尺寸的同時(shí)，加快設(shè)計(jì)速度。

Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項(xiàng)。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時(shí)間內(nèi)可設(shè)計(jì)出產(chǎn)品。偉詮電子此前推出的首款器件驗(yàn)證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發(fā)布新款器件，表明了我們兩家公司在深化并實(shí)踐為客戶提供更多選擇的承諾。”

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