英特爾與五角大樓深化合作 開發(fā)世界最先進(jìn)芯片

在與五角大樓簽署第一階段"快速保證微電子原型 RAMP-C 計(jì)劃"兩年半之后，英特爾又加深了與國防部的合作關(guān)系。英特爾、五角大樓以及由《CHIPS 法案》資助的國家安全加速器計(jì)劃現(xiàn)已同意合作生產(chǎn)只能在歐洲或亞洲制造的先進(jìn)芯片制造工藝的早期測(cè)試樣品。

這家芯片制造商今天早些時(shí)候表示，有了 RAMP-C，美國政府將能夠首次獲得領(lǐng)先的芯片制造技術(shù)。

RAMP-C 計(jì)劃的第三階段將涵蓋英特爾未來的 18A 制造工藝制造的原型。這些高端芯片制造工藝通常用于消費(fèi)類處理器，因?yàn)樗鼈冊(cè)谶\(yùn)行計(jì)算和圖形重型應(yīng)用時(shí)需要耗費(fèi)大量電能。

為國家安全應(yīng)用制造 18A 芯片是英特爾與其 DIB（國防工業(yè)基地）客戶合作的一部分。這些客戶包括承包商諾斯羅普-格魯曼公司（Northrop Grumman）和波音公司（Boeing），以及微軟（Microsoft）、英偉達(dá)（NVIDIA）和國際商業(yè)機(jī)器公司（IBM）等消費(fèi)企業(yè)。

該技術(shù)是英特爾的下一代工藝節(jié)點(diǎn)，根據(jù)公司高管此前的聲明，其前身（即 20A 工藝）應(yīng)于 2024 年投入生產(chǎn)。去年年底，英特爾公司首席執(zhí)行官帕特里克-蓋爾辛格（Patrick Gelsinger）透露，18A 工藝已提前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

與此同時(shí)，英特爾還發(fā)布了一份2022年12月的路線圖，兩個(gè)月后，英特爾又發(fā)布了另一份路線圖，詳細(xì)說明了18A工藝可在2024年下半年實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)（或英特爾所稱的制造準(zhǔn)備就緒）。RAMP-C合同的第三階段強(qiáng)調(diào)了英特爾18A工藝技術(shù)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）和生態(tài)系統(tǒng)解決方案，為大批量生產(chǎn)（HVM）做好了準(zhǔn)備。

蓋爾辛格還宣傳英特爾 18A 芯片卓越的電源管理能力，將其與臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）的 2 納米技術(shù)相提并論。繼Intel 3工藝之后，英特爾的芯片工藝技術(shù)術(shù)語已轉(zhuǎn)向埃米級(jí)。

這意味著，純粹根據(jù)其營銷名稱進(jìn)行比較，18A 芯片工藝相當(dāng)于 1.8 納米。在芯片制造中，越小越好，因?yàn)楦〉碾娐纺軌蛱岣邔?dǎo)電性和性能吞吐量?，F(xiàn)代芯片在極小的空間內(nèi)擠下了數(shù)十億個(gè)晶體管，與前代產(chǎn)品相比，可以處理更多的數(shù)據(jù)。

作為今天發(fā)布會(huì)的一部分，國防部微電子工程負(fù)責(zé)人 Dev Shenoy 博士評(píng)論說，五角大樓預(yù)計(jì)"在 2025 年展示英特爾 18A 芯片的原型生產(chǎn)"。英特爾代工廠 RAMP-C 的第三階段將集中于芯片設(shè)計(jì)的敲定。這是設(shè)計(jì)流程的最后階段，工程師們將完成流程中的概念部分，并將工作轉(zhuǎn)向在生產(chǎn)流程中指導(dǎo)先進(jìn)芯片制造設(shè)備的掩模。

本月早些時(shí)候，英特爾公司首次開啟了世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備。這些被稱為高 NA EUV 的機(jī)器將簡化設(shè)計(jì)流程，從而縮短芯片制造時(shí)間。