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2023 年十大半導體故事

作者: 時間:2024-01-15 來源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

1. 結(jié)束芯片設(shè)計的「丑陋」篇章

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202401/454781.htm

2022 年,芯片設(shè)計界和谷歌內(nèi)部爆發(fā)了爭論。爭議焦點在于強化學習人工智能系統(tǒng),谷歌使用該系統(tǒng)為其人工智能加速器芯片(TPU)布局邏輯和內(nèi)存塊邁出了關(guān)鍵一步。在 2021 年《自然》雜志上發(fā)表的研究中,谷歌聲稱它在尋找最佳布局方面擊敗了頂級學術(shù)算法和人類芯片設(shè)計師。谷歌的一個競爭對手團隊回應(yīng)稱沒有,但該公司不會公布競爭對手的結(jié)果。

一年后,由 IEEE 院士 Andrew Kahng 領(lǐng)導的一個小組報告了一項研究,他表示這項研究旨在幫助社區(qū)度過這一不愉快的時期。Kahng 的研究在很大程度上支持了競爭對手的觀點。此后,《自然》雜志發(fā)表社論表達了擔憂,Kahng 撤回了谷歌論文最初附帶的社論。但這家搜索巨頭仍然支持其人工智能。就在 2023 年 8 月,谷歌 DeepMind 首席科學家 Jeff Dean 表示,與 TPU 團隊可用的其他方法相比,TPU 的 37 個模塊中有 26 個由于人工智能而具有更好的性能布局,37 個模塊中有 7 個表現(xiàn)同樣出色。

2. 美國大學正在建設(shè)人才隊伍

隨著《美國芯片和科學法案》將向美國的芯片制造注入數(shù)百億美元,問題出現(xiàn)了:「誰將在這些新工廠工作?」據(jù)長期撰稿人 Prachi Patel 報道,美國各地的大學,尤其是那些靠近晶圓廠建設(shè)項目的大學,正在改進其教育課程作為回應(yīng)。希望引導有才華的學生遠離人工智能和其他熱門領(lǐng)域的誘惑,并引導他們致力于制造使人工智能成為可能的芯片。

3. 晶體管可以在沒有移動部件的情況下處理熱量

去年 11 月,加州大學洛杉磯分校的研究人員報告了熱晶體管的發(fā)明,這是第一個使用電子信號控制熱量流動的固態(tài)器件。散熱一直是處理器性能的一個長期限制,并且隨著處理器成為 3D 堆疊小芯片的集合,它只會變得更加困難。與熱晶體管相比,即使是當今的先進方法,對芯片溫度變化的反應(yīng)也很慢,而熱晶體管可以以 1 兆赫的速度快速打開和關(guān)閉熱導。

4. 光刻機進一步延續(xù)摩爾定律

極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)醞釀了數(shù)十年,直到幾年前才進入常規(guī)應(yīng)用,在最先進的芯片上打印納米級圖案。已經(jīng)到了升級的時候了。正如 ASML 的工程師所解釋的那樣,目前使用的技術(shù)版本僅限于制作分辨率約為其光波長 13.5 納米的圖案。為了低于這個限制,工程師必須對系統(tǒng)的光學器件進行一些重大改變,并解決隨之而來的所有連鎖問題。順便說一句,這并不是 EUV 的唯一改進。類似于反向運行的燃料電池的新技術(shù)將使該技術(shù)更加環(huán)保。

5. 氮化鎵和碳化硅爭奪綠色技術(shù)主導地位

我們越來越擔心制造的污染,但這個故事實際上正在被解決。碳化硅和氮化鎵功率半導體都比硅同類產(chǎn)品更高效。IEEE Spectrum 試圖回答的問題是:這些寬帶隙半導體中哪種在什么情況下工作效果最好?答案很復雜但很有趣。有一件事是明確的,這兩種半導體都會阻止大量碳進入大氣。

6. 英特爾全力發(fā)展背面供電

芯片制造商計劃對高端處理器的互連架構(gòu)進行重大改變。自從 IC 發(fā)明以來,所有連接晶體管的金屬都是在硅表面上方形成的。這種做法幾十年來一直行之有效,但它必須結(jié)束了。數(shù)據(jù)承載互連所需的內(nèi)容和電力承載互連所需的內(nèi)容之間存在根本性的緊張關(guān)系。基本上,如果承載功率的互連又短又寬,功率損失就會更少。因此,研究人員想出了一個方案,將電力傳輸網(wǎng)絡(luò)移至硅的底部,在那里金屬線可以保持寬且導電。這就留下了更多的空間來更好地封裝上面的數(shù)據(jù)承載線。英特爾是第一家宣布將使用背面供電技術(shù)制造芯片的芯片制造商,該技術(shù)被稱為 PowerVia。6 月份,該公司分享的結(jié)果顯示,PowerVia 本身可帶來約 6% 的性能提升,這大約是晶體管大幅縮小所帶來的性能提升的一半。英特爾將于 2024 年使用 PowerVia 和稱為 RibbonFET 的新型晶體管組合來制造 CPU。

7. 將激光器置于硅上的 4 種方法

硅有很多用途。制造激光器不是其中之一。但在硅芯片上安裝激光器可以解決許多尷尬的集成問題,有助于加速處理器和其他芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸。因此,工程師們一直在想出實用的方法,將由化合物半導體制成的激光器集成到硅晶圓上,并以可制造且相對便宜的方式實現(xiàn)。

8. 芯片上的粒子加速器變小

很少有技術(shù)能夠同時擁有城市大小和小硬幣大小的版本。但現(xiàn)在粒子加速器可以做到這一點。德國科學家沒有使用電場來提高電子在長軌道上的速度,而是使用光來讓電子穿過一個僅納米寬、0.5 毫米長的凹槽。在這個尺度上,加速電子前進的電場來自光的振蕩電場。在加速器的影響下,電子的速度提高了 40%??茖W家們希望有一天能夠?qū)⑺鼈兲岣叩綄︶t(yī)學研究和其他應(yīng)用有用的速度。

9. 研究人員發(fā)現(xiàn)了迄今為止最快的半導體

什么有 6 個錸原子、8 個硒原子和 12 個氯原子?迄今為止發(fā)現(xiàn)的最快的半導體,就是這樣。這種分子形成超團簇,其作用就像一個大原子,但具有這些元素中任何一種元素都沒有的特性。其速度的秘密在于聲子的行為,聲子是由固體振動形成的準粒子。通常聲子會減慢速度,部分是通過干擾激子、束縛電子對和帶正電的空穴。該分子中的聲子不會撞擊激子,而是與激子結(jié)合,產(chǎn)生一種新的準粒子,該準粒子以電子速度兩倍的速度自由流過半導體。不幸的是,錸是地球上最稀有的元素之一。

10. 光子聚變的實際力量

硅太陽能電池相對便宜且供應(yīng)充足,但它們錯過了陽光中的大量能量?;旧?,不使用能量小于硅帶隙的顏色光。但是如果我們可以將這些顏色變成硅的首選色調(diào)呢?斯坦福大學的研究人員解釋了這是如何完成的。通過在多個分子和能態(tài)之間交換電子的復雜過程,他們找到了一種將兩個無用的光子變成一個有用的光子的方法。這對光伏發(fā)電的影響可能是巨大的。



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