英特爾首席執(zhí)行官將18A工藝節(jié)點(diǎn)定位在臺積電的2納米性能和發(fā)布時間之前

英特爾首席執(zhí)行官將18A工藝節(jié)點(diǎn)定位在臺積電的2納米性能和發(fā)布時間之前

英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger對其18A工藝表示信心，聲稱它在性能上與臺積電的2納米節(jié)點(diǎn)競爭激烈，而且發(fā)布時間也更早。

英特爾18A工藝節(jié)點(diǎn)采用背面供電和增強(qiáng)硅利用率，據(jù)稱在性能和交付方面領(lǐng)先于臺積電的2納米

英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在團(tuán)隊藍(lán)色最近的AI Everywhere活動上與巴倫報對話，該活動中公司發(fā)布了其最新的Meteor Lake處理器。在與該出版物交談時，首席執(zhí)行官Gelsinger就英特爾的18A工藝提供了最新消息，聲稱在采用先進(jìn)的供電方法后，它有望超越臺積電的N2（2納米）節(jié)點(diǎn)。

我們宣布了18A的兩項(xiàng)重大創(chuàng)新：新的晶體管和背面供電。我認(rèn)為每個人都在看臺積電的N2晶體管與我們的18A的比較。目前尚不清楚哪一個明顯優(yōu)于另一個。我們將看到誰更勝一籌。

但是背面供電，每個人都說英特爾做到了。你領(lǐng)先競爭對手幾年。這是強(qiáng)大的。這是有意義的。它為硅提供了更好的面積效率，這意味著更低的成本。它提供了更好的電源傳遞，這意味著更高的性能。所以，我有一個好的晶體管。我有出色的電源傳遞。我認(rèn)為我在時間上略領(lǐng)先于N2，即臺積電的下一代工藝技術(shù)。

帕特·蓋爾辛格（英特爾首席執(zhí)行官）通過巴倫報

英特爾的18A工藝節(jié)點(diǎn)將使用RibbonFET晶體管以及一種新的“PowerVia”傳遞方法，預(yù)計將帶來顯著的性能提升。據(jù)透露，與20A相比，我們可能會看到18A的代際改進(jìn)達(dá)到10％。有報道稱，ARM可能是英特爾該工藝的第一位客戶，希望將其用于移動SOC，但這目前僅是謠言。

最新的英特爾路線圖顯示，18A將在2024年下半年準(zhǔn)備進(jìn)行風(fēng)險生產(chǎn)，這超前于計劃。

英特爾鑄造服務(wù)在半導(dǎo)體技術(shù)方面并沒有在近期取得太多成功，然而，事態(tài)似乎正在改變，尤其是在團(tuán)隊藍(lán)色的發(fā)展速度方面。不久前，我們報道了英特爾20A工藝的狀態(tài)，以及它計劃在2024年首次亮相。英特爾20A將為Arrow Lake客戶CPU提供動力，而18A據(jù)說將為未來的客戶、數(shù)據(jù)中心和鑄造芯片提供廣泛的解決方案。

此外，在向日本媒體展示的演示中，英特爾列出了18A之后的幾個節(jié)點(diǎn)，我們還看到了從14納米時代回歸的“+”。至少有三個在18A之后的未來節(jié)點(diǎn)被提及，“英特爾Next+”明確提到了使用HiNa EUV光刻技術(shù)。預(yù)計該節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)不會在2025-2026+時間框架之前進(jìn)行。

即將到來的半導(dǎo)體市場將比以前更加動態(tài)，三星鑄造和英特爾等公司將爭奪王位。