ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況

ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開關(guān)管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。

Gianfranco DI MARCO(意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)功率晶體管事業(yè)部市場(chǎng)溝通經(jīng)理)

1 面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

在制造方面，充分發(fā)揮寬帶隙半導(dǎo)體的潛力面臨接二連三的挑戰(zhàn)，其中包括提高晶圓良率，降低缺陷率和成本，以及通過嚴(yán)格的測(cè)試驗(yàn)證芯片的長(zhǎng)期可靠性。設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)評(píng)估寄生參數(shù)和熱特性，同時(shí)增加有關(guān)SiC 和GaN 的性能細(xì)微差別的經(jīng)驗(yàn)。OEM（原廠）需要魯棒性很高的柵極驅(qū)動(dòng)器和適合高速開關(guān)的控制器。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，我們與客戶和合作伙伴密切合作，完善改進(jìn)技術(shù)，直面實(shí)際設(shè)計(jì)過程中的系統(tǒng)級(jí)挑戰(zhàn)。

2 ST的解決方案

ST 深耕SiC 研發(fā)已經(jīng)有25 年的歷史，擁有尖端技術(shù)和大批量制造能力。嚴(yán)格的質(zhì)量控制成就高度可靠的設(shè)備，ST 的市場(chǎng)領(lǐng)先地位是最有力的證明。ST 與汽車和工業(yè)市場(chǎng)的知名企業(yè)合作，為其提供參考設(shè)計(jì)和應(yīng)用支持，以簡(jiǎn)化SiC 和GaN 解決方案的應(yīng)用。ST 還與GaN 代工合作伙伴密切合作，加快GaN 器件上市銷售，并確保供貨，同時(shí)在公司內(nèi)部推進(jìn)下一代技術(shù)研發(fā)。通過這種雙管齊下的方法，ST 為市場(chǎng)提供高性能功率芯片，加快功率器件向更寬禁帶半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)化。

（本文來源于EEPW 2023年10月期）