存儲芯片的「寒冬期」即將過去

全球的半導(dǎo)體存儲芯片銷售已經(jīng)走出最糟糕的時期。韓國三星電子等大型制造商的減產(chǎn)使得過剩情況緩解，同時給行情的下跌踩下剎車。雖然庫存水平仍然較高，制造商提出進(jìn)一步減產(chǎn)，但也出現(xiàn)了增強(qiáng)產(chǎn)能的動向，供需能否趨于平衡仍不明朗。

在個人電腦（PC）和智能手機(jī)中用于數(shù)據(jù)臨時存儲的半導(dǎo)體存儲芯片 DRAM 的價格已經(jīng)止跌。從存儲芯片制造商和設(shè)備制造商的 8 月份參考交易價格來看，作為指標(biāo)的 8GB DDR4 為每塊 1.48 美元左右，已連續(xù) 4 個月維持不變。

如此看來芯片過剩已經(jīng)得到緩解，2022 年秋季以后，韓國 SK 海力士、三星等大型企業(yè)推進(jìn)的產(chǎn)能壓縮策略效果已經(jīng)顯現(xiàn)。

日本三井住友信托銀行的主任山上隼人以三星、SK 海力士、美國美光科技和美國西部數(shù)據(jù)的存貨等為基礎(chǔ)，計算了平均的庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)。顯示庫存可在多少天內(nèi)消化，由此可以得知銷售效率。2023 年 4~6 月的 4 家企業(yè)的平均庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為 151 天，比屬于最近峰值的 2022 年 10~12 月縮短了 4%。

4 家企業(yè)的平均庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)在 2021~2022 年激增。原因是新冠疫情下的居家辦公需求告一段落，個人電腦和智能手機(jī)等使用存儲芯片的產(chǎn)品銷售增長乏力。2022 年 10~12 月達(dá)到 158 天，達(dá)到過去 10 年中最長。

價格此前也不斷下跌，8GB DDR4 自 2022 年春季開始，一年內(nèi)下降了 45%。由于行情低迷，各存儲芯片制造商的業(yè)績惡化。為了實(shí)現(xiàn)供需平衡的正常化，各大企業(yè)從 2022 年秋季開始啟動減產(chǎn)和壓縮庫存。

目前的存儲器銷售情況正在恢復(fù)。美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）的統(tǒng)計顯示，2023 年 4~6 月全球半導(dǎo)體銷售額比上一季度增長 4.7%。在以 ChatGPT 為代表的生成式 AI（人工智能）熱潮中，面向 AI 的芯片表現(xiàn)強(qiáng)勁。

美國調(diào)查公司 Gartner 預(yù)測，2023 年 AI 芯片市場將同比增長 20.9%。再加上銷售的改善，市場上出現(xiàn)了 DRAM 價格或許已不會進(jìn)一步下跌的聲音。

不過，庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)依然很長。設(shè)備制造商也有聲音表示「仍在抑制采購」，供應(yīng)過剩的狀況并未消除。三星和 SK 海力士也表示將進(jìn)一步減產(chǎn)。

山上隼人分析稱，半導(dǎo)體存儲芯片有望實(shí)現(xiàn)長期增長，存在增強(qiáng)產(chǎn)能的趨勢。雖然目前行情出現(xiàn)改善，但供需平衡容易惡化的環(huán)境仍將持續(xù)下去。

三星近期與客戶（包括小米、OPPO 及谷歌）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM 和 NAND 閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào) 10%-20％。三星電子預(yù)計，從第四季度起存儲芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。手機(jī)廠商為何接受漲價？知情人士稱，這些廠商預(yù)計智能手機(jī)銷量有望增加，特別是在海外市場。

與此同時，三星還計劃以更高價格，向自家生產(chǎn) Galaxy 系列手機(jī)的移動業(yè)務(wù)部門供應(yīng)存儲芯片，以此反應(yīng)移動芯片價格上漲的趨勢。

另據(jù)臺媒報道，三星、鎧俠及 SK 海力士等上游 NAND Flash 原廠已開始拉高晶圓合約價。由于中間通路及下游系統(tǒng)模組廠手中庫存低于正常季節(jié)水準(zhǔn)，引發(fā)終端搶貨，消費(fèi)性 SSD、存儲卡，手機(jī)相關(guān)零組件如 eMMC、eMCP 價格全面走揚(yáng)。供應(yīng)鏈表示，目前平均漲幅約在個位數(shù)左右，由于部分存儲產(chǎn)品庫存水位相對較低，因此四季度漲幅有望上看雙位數(shù)。

天風(fēng)國際分析師郭明錤表示，美光科技亦自 9 月開始調(diào)漲 NAND Flash 晶圓合約價約 10%，有助于改善美光 2H23 獲利。DRAM 方面，美光可望最快自 4Q23/1Q24 開始受益于三個趨勢，包括英特爾新平臺 MeteorLake 加速 DDR5 滲透率成長、AI 服務(wù)器強(qiáng)勁需求推升 HBM 出貨，以及品牌與處理器廠在裝置上推廣 LLM 有利 DDR/LPDDR 規(guī)格升級。

TrendForce 在 9 月 11 日發(fā)布研報稱，NAND Flash 晶圓合約價已在 8 月反彈，且隨著原廠減產(chǎn)幅度擴(kuò)大，客戶備貨力度有望回升，有效支撐 9 月 NAND Flash 晶圓合約價持續(xù)上漲。不過該機(jī)構(gòu)預(yù)計，今年需求量上壓縮仍然嚴(yán)重，例如通用型服務(wù)器出貨量被 AI 服務(wù)器排擠，所以第三季度 NAND flash 均價仍將持續(xù)下跌，到第四季度有望持平或按照 0% 至 5% 的幅度上漲。

DRAM 復(fù)蘇腳步較 NAND 稍有落后，仍在尋求筑底。TrendForce 稱，受惠于行業(yè)供應(yīng)商陸續(xù)啟動減產(chǎn)，整體 DRAM 供給量逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，預(yù)期第三季 DRAM 均價跌幅將會收斂至 5% 以下。不過，由于全年庫存仍處于高水位，今年 DRAM 價格壓力仍然存在，實(shí)際止跌反彈的時間可能要等到 2024 年。

據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織 (WSTS) 的最新數(shù)據(jù)，預(yù)計全球存儲器芯片在 2023 年的市場規(guī)模約為 840 億美元，占全球芯片市場規(guī)模的比例為 20.36%。不過，WSTS 同時指出，存儲器芯片市場規(guī)模在 2023 年或按年下降 35.20%，到 2024 年恢復(fù)至 1203 億美元、按年增加 43.20%。