聯(lián)發(fā)科最強(qiáng)5G Soc！臺(tái)積電3nm天璣芯片成功流片：2024年量產(chǎn)

9月7日消息，今日，聯(lián)發(fā)科官方宣布，聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3nm工藝的天璣旗艦芯片開(kāi)發(fā)順利，日前已成功流片，預(yù)計(jì)2024年下半年上市，將成為聯(lián)發(fā)科最強(qiáng)5G Soc。

據(jù)悉，臺(tái)積電3nm擁有更強(qiáng)性能、功耗、良率，相較5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度增加約60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。

在今年7月的季度財(cái)務(wù)會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家透露，去年底開(kāi)始量產(chǎn)的N3 3nm工藝，已完全通過(guò)驗(yàn)證，性能、良品率都達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)。

臺(tái)積電3nm工藝第一代為N3B，技術(shù)上很先進(jìn)很復(fù)雜，應(yīng)用多達(dá)25個(gè)EUV光刻層，還有雙重曝光，從而達(dá)到更高的晶體管密度，這也致使價(jià)格更貴。

第二代則是N3E，EUV光刻層減少到19個(gè)，去掉雙重曝光，會(huì)便宜不少，更適合主流產(chǎn)品。

值得一提的是，iPhone 15系列下周就要發(fā)布了，其中iPhone 15 Pro/Pro Max機(jī)型將升級(jí)蘋(píng)果A17處理器，將首發(fā)臺(tái)積電3nm工藝，芯片表現(xiàn)如何，值得期待。