巧用降壓芯片生成負(fù)電壓及Vishay功率IC產(chǎn)品介紹

電子電路中負(fù)電壓需求有幾種，一種是隔離式的負(fù)電壓，在電力、通訊等對抗干擾性能要求較高的場合，需要隔離前端電源輸入的干擾，這個時候可以基于變壓器添加繞組來產(chǎn)生負(fù)電壓，或者也可以采用隔離式的電源模塊輸出負(fù)電壓給系統(tǒng)供電。另一種是非隔離式的負(fù)電壓，通過正輸入電壓，使用Charge Pump, Buck-Boost, Buck, Sepic 等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電壓芯片等來產(chǎn)生負(fù)電源。

本文介紹基于Vishay SiP12109 COT BUCK拓?fù)涞耐浇祲恨D(zhuǎn)換器產(chǎn)生負(fù)電壓, 通過簡單修改電路的參考節(jié)點(diǎn)，內(nèi)部低端 MOSFET 產(chǎn)生電流斜坡反饋，無需補(bǔ)償，外部組件僅需功率電感、輸入電容去耦和自舉電容器，遠(yuǎn)比線性調(diào)節(jié)器的效率更高，原理如下圖所示。

圖1 a) 同步降壓  b) 負(fù)輸出降壓

圖2 負(fù)輸出降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

電路的控制與標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器的控制是相同的，但是感應(yīng)器從VOUT 到 0V 的節(jié)點(diǎn)連接變化上存在著關(guān)鍵的差異，導(dǎo)致電路電流的改變，隨之會產(chǎn)生負(fù)輸出電壓，芯片輸出的 0V 現(xiàn)在變成負(fù)輸出電壓。         

圖3 - 圖2的節(jié)點(diǎn)波形模擬

上圖MOSFET 驅(qū)動器波形可以參見圖 3，它與標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器類似，LX 電壓波形范圍介于 -3.3V 到 +12V 之間, IM1和IM2電流波形對應(yīng)的是M1和M2分別導(dǎo)通時的電流波形。         

圖4 參考原理圖

圖4為參考原理圖，整體設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)格如下所示：VIN = 12V，VOUT = -3.3V，F(xiàn)sw= 600khz，Iout = 3A，Vripple = 150mV，Vin_ripple = 100mV。

圖5 測試條件下的效率測量

可見，對于需要負(fù)電源而且系統(tǒng)中只有正電源輸入時，Vishay的同步降壓調(diào)節(jié)器可以提供簡單和高效的方法，效率能超過 90%。

Vishay 同步降壓電源芯片有一系列產(chǎn)品組合，分為 DrMOS、microBUCK、microBRICK 三個系列，對應(yīng)不同的組件集成組合，如下圖所示。

圖6 Power IC集成示意圖

紅框所示DrMOS系列是將柵極驅(qū)動器和MOSFET工藝集成在一起，藍(lán)框 microBUCK系列在DrMOS基礎(chǔ)上優(yōu)化集成了PWM 控制器，而綠框microBRICK系列則是在microBUCK 基礎(chǔ)上進(jìn)一步集成了外圍的電感器件，極大縮小了外圍器件數(shù)量。

圖7 Vishay DrMOS 功率級產(chǎn)品路線圖

圖8  microBuck和microBRICK最新產(chǎn)品路線圖

最新的DrMOS 采用了第 4 代/第 4.5 代的 MOSFET 工藝，與上一代的 DrMOS 器件相比，DrMOS 效率提升了 3%，工作溫度減低超過 50℃，而占板面積卻壓縮了 33%，提升了整體的功率密度效益。microBUCK可以支持 4.5V~60V很寬的輸入電壓范圍，支持單相最高輸出電流達(dá) 40A應(yīng)用，在效率方面也很出色，在峰值功率時的效率高達(dá) 98.5%。microBRICK模塊巧妙地利用了電感固有的特性，通過創(chuàng)新的3D 封裝絕招，使電感成為優(yōu)化高功率密度模塊散熱性能的，消除了 PCB 電感器與開關(guān)節(jié)點(diǎn)之間的互連電阻，減少了總損耗，保持了高效率的優(yōu)勢，使設(shè)計(jì)人員可以擴(kuò)展以實(shí)現(xiàn)成本和性能的最佳組合。