韓媒：三星已組建開發(fā)團(tuán)隊，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM

5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個開發(fā)團(tuán)隊，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。

4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團(tuán)隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。

報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。

4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說工藝難點頗多。不過三星認(rèn)為，與SK海力士和美光正在開發(fā)的3D DRAM相比，這種結(jié)構(gòu)更容易實現(xiàn)。

The Elec報道指出，三星電子的目標(biāo)是將4F2應(yīng)用于10納米或以下節(jié)點的DRAM制程，因為以目前的技術(shù)預(yù)計會面臨線寬縮減的極限。