氧化鋅壓敏電阻瓷片變形改善方法
氧化鋅壓敏電阻器是一種多晶半導體材料[1],由于其優(yōu)異的非線性I-V 特性、響應時間快速以及浪涌吸收能力高而被廣泛應用于通信設備、汽車工業(yè)、軌道交通系統(tǒng)、輸配電、國防軍工等領域[2]。氧化鋅壓敏電阻器的工作機理是,當電路中出現(xiàn)雷擊浪涌、轉(zhuǎn)換浪涌或瞬態(tài)過電壓浪涌時,壓敏電阻器內(nèi)阻急劇下降,迅速導通,從而有效保護電路中其他元件不受過電壓浪涌的影響[3]。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202305/446491.htm在制作氧化鋅壓敏電阻瓷片(以下簡稱瓷片)時,常發(fā)生燒結(jié)變形,變形量過大的瓷片在后續(xù)生產(chǎn)中會產(chǎn)生刷銀缺失,裂片,焊接不良等缺陷,瓷片變形在行業(yè)中還沒有非常有效的解決方案,極大的困擾著各生產(chǎn)企業(yè)。本文所選用的規(guī)格在改善前的變形率普遍在15%~35%。本文從瓷片變形影響因素,對應改善措施,改善效果分析方面論述了瓷片變形改善方法的研究過程,最終得出了符合預期的控制方法。
1 變形影響因素
1.1 成型坯體質(zhì)量
通常陶瓷生坯成分均勻性越好,體積密度越高,燒結(jié)收縮就越小,還能降低燒結(jié)溫度,縮短燒結(jié)致密化時間,控制或消除燒結(jié)過程中可能產(chǎn)生的開裂、變形、晶粒異常長大等缺陷[4]。
1.2 形狀尺寸
陶瓷生坯可能由于本身形狀差異在燒結(jié)過程中引起燒結(jié)變形。張六玲在研究干壓棒狀試樣時發(fā)現(xiàn)長徑比大于6 時,存在較明顯的密度梯度,且燒結(jié)試樣發(fā)生翹曲[5]。
1.3 燒結(jié)液相
氧化鋅壓敏電阻器生坯液相的主要來源是低熔點物質(zhì)熔解。而粉料的混合不均勻可能導致形成局部液相,發(fā)生部分收縮變形。因此有機添加劑與粉料混合充分可使得成型結(jié)構(gòu)件各部位成分均勻且連續(xù),最終燒結(jié)階段各部位收縮一致,即可得到較小變形的瓷片。
1.4 重力
German 與Olevsky 系統(tǒng)的研究了陶瓷在重力作用下的燒結(jié)行為[6]。利用燒結(jié)連續(xù)理論與有限元方法,引入最小化重力引起的收縮各向異性的算法,并在實際制備陶瓷過程中應考慮燒結(jié)過程中重力引起的累積形狀變形,即液相燒結(jié)下的尺寸變化。在堆疊燒結(jié)中若生坯之間有錯位,也會因重力作用造成懸空部位坍塌變形。
1.5 燒結(jié)溫度場
液相的黏度與數(shù)量要隨溫度的變化而劇烈變化,因此燒結(jié)熱力場及燒結(jié)曲線也是影響致密化收縮的關鍵因素之一。傳統(tǒng)的加熱爐通過熱輻射、熱傳導對陶瓷樣品進行加熱,其爐腔內(nèi)的溫度差異會導致陶瓷內(nèi)存在熱應力進而導致陶瓷不規(guī)則變形。
1.6 傳導變形
與生坯直接接觸部位,如墊板本身存在凹凸不平,燒結(jié)過程中生坯中低溫相變?yōu)橐合?,整個生坯會隨著墊板接觸部分發(fā)生形變,尺寸越薄的生坯表現(xiàn)越明顯。因此所有與生坯接觸的物體都要保持相對平整,如壓片、墊板、檔條等。
2 改善對策
2.1 壓片
在排整齊的生坯上壓上平整的已經(jīng)燒結(jié)過的瓷片,目的是利用壓片的重量壓制生坯燒結(jié)過程中發(fā)生拱板或翹曲,壓片本身的變形量用小于0.3 mm 篩選,使用墊板變形量為1.0 ~1.5 mm。
2.2 減少燒結(jié)層數(shù)
生坯堆疊燒結(jié)后發(fā)現(xiàn)不同層瓷片變形量不同,從下往上變形量逐步遞增,這與重力引起的累積形狀變形相一致。減少燒結(jié)層數(shù)能將變形量控制在較低水平,但是這將會降低產(chǎn)量。
2.3 雙層墊板
在保證原來燒結(jié)層數(shù)的情況下,中間層加墊一塊墊板。墊板本身變形量挑選小于1.0 mm,中間層墊板四周用略高于下層生坯的墊塊支撐防止接觸下層生坯。雙層墊板的目的也是減少累積形狀變形,同時又不影響產(chǎn)量。
2.4 新匣缽
匣缽底部會隨著燒結(jié)次數(shù)的增多發(fā)生變形,下凹或者上凸都有可能。墊板放置在變形的匣缽上也會隨著發(fā)生變形。此驗證主要目的是排除匣缽因素,采用新的平整匣缽,配合變形舊墊板做驗證。
2.5 新墊板
新墊板的變形量非常小,基本都在0.2~0.3 mm 范圍??山档蛡鬟f變形影響因素。
2.6 立排
立排即采用側(cè)面為底面接觸墊板排列,目的是消除瓷片水平方向上的變形。
3 驗證結(jié)果
3.1 壓片驗證結(jié)果
采用40 mm×40 mm×3.0 mm 瓷片作為壓片壓在生坯上燒結(jié),對于變形有大幅度改善,平均變形率降低到8.2%。改善效果機理:氧化鋅壓敏電阻瓷片燒結(jié)是屬于液相燒結(jié)為主兼有氣相燒結(jié)和固相燒結(jié)的燒結(jié)過程,瓷片在燒結(jié)過程中低溫相如富Bi2O3 晶界相溶解為液體,外來壓應力有助于晶體表面或邊沿質(zhì)點在熱振動的情況下克服固態(tài)質(zhì)點的吸引力而擴散到液體中呈分散狀態(tài),所以粉粒受壓處具有最大的溶解度。其動力學過程就是固體質(zhì)點將不斷在受壓處溶入液相中,在濃度差的推動下以擴散的方式傳遞出去,在適當?shù)牡蛪禾幠Y(jié),使接觸點處逐漸平滑化。缺點是需要增加壓片的操作,若在排片時先壓片,燒結(jié)時不方便檢查片子是否錯位。
3.2 減少燒結(jié)層數(shù)驗證結(jié)果
選用同一規(guī)格產(chǎn)品,減少燒結(jié)層數(shù),與正常工藝(6層排片燒結(jié),墊板厚度為4.0 mm)的結(jié)果進行對比。
對比發(fā)現(xiàn)在墊板相同的前提下減少排片層數(shù)對變形改善有效果,變形率減小2%~6%。此方法的缺點是影響產(chǎn)能。此外還統(tǒng)計了正常工藝不同層數(shù)的變形率,發(fā)現(xiàn)1~5 層沒有變形不良,而第6 層變形率大幅增加。這與重力引起的累積形狀變形相符合,同一疊瓷片變形量從下往上遞增,到達第6 層時較多瓷片變形量超出了標準值;還有一個原因是第1~5 層黑片上下均有瓷片或墊板接觸燒結(jié)收縮過程中存在幾乎相同的摩擦阻力因而收縮趨于一致,而第6 層上表面是空氣,上下摩擦阻力不一致因而造成差異性收縮。
3.3 新匣缽、墊板和立排的驗證結(jié)果
表1 為新匣缽舊墊板、雙層墊板和立排3 種方式與正常工藝的對比結(jié)果:
由表1 可知:
1)在墊板不改變的情況下,單純使用平整的新匣缽不能改善瓷片變形率;
2)雙層墊板對變形改善效果不佳,因雙層墊板操作費事,且上層墊板中間懸空多次燒結(jié)后容易凹陷本文不做過多研究;
3)立排效果不佳,原因是瓷片側(cè)面太薄,在燒結(jié)過程中瓷片上下面發(fā)生不同程度收縮,瓷片側(cè)面厚度不足以支撐自身重量而發(fā)生傾倒,此時燒結(jié)溫度還很高,瓷片內(nèi)還存在液相,傾倒后瓷片之間有層錯進而產(chǎn)生變形。
3.4 壓片加新墊板組合
壓片使用0.3 mm 標準篩選過的40 mm×40 mm×3.0 mm 瓷片,新墊板采用變形量小于0.3 mm 進行組合驗證。驗證結(jié)果變形率在0~3% 之間,可見這種組合方式可以進一步降低瓷片變形率。
4 自制6.0 mm新墊板
4.1 自制墊板變形原因分析
觀察正常工藝4.0 mm 墊板的變形,分析變形原因主要有三方面,一是燒結(jié)匣缽在燒結(jié)過程中會發(fā)生變形、凸起、下凹等,墊板會隨同匣缽底部變形而發(fā)生傳導變形;二是自制墊板較薄,本身的變形抗力較低;三是發(fā)現(xiàn)變形較大的墊板底部都存在邊緣積累濾粉及匣缽邊緣積累濾粉。
4.2 考慮外購墊板成本高,且使用壽命較短
本文采用廢棄粉料用油壓機自制6.0 mm厚新墊板,比原來厚度增加2.0 mm 增強墊板本身的變形抗力。6.0 mm 墊板第1 次燒結(jié)后很平整最大的變形量小于0.3 mm,墊板的變形量通過高度規(guī)檢測,即同一面上最高點減去最低點的高度差。
4.3 延長匣缽壽命方法
1)及時更換變形超過1.0 mm 的匣缽;
2)確保每次燒結(jié)后都要將墊板取出清理干凈兩面的濾粉;
3)清理干凈匣缽內(nèi)四周濾粉;
4)確認匣缽底部平整無異物。
4.4 自制6.0 mm墊板使用效果
自制6.0 mm 墊板按照延長墊板壽命方法使用20 次的后統(tǒng)計瓷片變形率,平均變形率降低到5.1%,相比之前的15%~35% 有很大的改善。測量自制6.0 mm 墊板使用20 次后最大變形率為1.0 mm,平均值為0.6 mm。從瓷片變形率來看根據(jù)以上數(shù)據(jù)制定墊板使用標準最大變形率不能超過1.0 mm。
5 結(jié)束語
采用降低燒結(jié)層數(shù)、壓片方式和平整墊板對變形均有較好的改善效果,雙層墊板、新匣缽和立排方式對變形改善效果不佳。考慮降低燒結(jié)層數(shù)會減少一半的產(chǎn)能,在實際生產(chǎn)中不建議推廣。壓片方式必須保證壓片本身的平整度在0.3 mm 以內(nèi)對變形標準改善才有良好的效果,壓片方式結(jié)合平整墊板可以進一步提升變形改善效果。新墊板在自身變形量小于1.0 mm 范圍內(nèi)能保持較好的使用效果,新墊板按照延長墊板壽命方法使用可保證20 次以上。
參考文獻:
[1] 陳立軍.ZnO壓敏電阻器制備新技術研究[D].西安:西安電子科技大學,2001.
[2] 肖勝根,甘國友,嚴繼康.淺談ZnO壓敏電阻器低壓化[J].佛山陶瓷,2006,16(5):41-44.
[3] 馬德海.影響氧化鋅壓敏電阻性能的因素[J].電子元件與材料,1985:4-8.
[4] 黃勇,楊金龍,謝志鵬,等.高性能陶瓷成型工藝進展[J].現(xiàn)代技術陶瓷,1995:4-11.
[5] 張六玲.棒類粉末成形件彎曲變形淺析[J].模具技術,1987(4):45-47.
[6] OLEVSKY E A, GERMAN R M. Effect of gravity on dimensional change during sintering I .Shrinkage anisotropy [J]. Acta Materialia, 2000:1153-1166.
(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年4月期)
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