恩智浦借助RapidRF加速5G設計
Open RAN(O-RAN)發(fā)展勢頭強勁,在全球迅速普及,恩智浦通過打造增強型參考設計,助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案(稱為“SL系列”)將射頻功能集成到客戶的設計中。
恩智浦第2代RapidRF前端參考板可節(jié)省電路板空間,降低整體復雜性,并為TDD蜂窩應用提供完整的即用型電路。與前幾代一樣,第二代RapidRF參考板實現(xiàn)完全匹配的放大器50歐姆輸入和50歐姆輸出。這樣可構成完整的產(chǎn)品系列,無需調(diào)整即可輕松使用。
RapidRF參考電路展示了恩智浦的PA、預驅動器、帶T/R開關的Rx低噪聲放大器以及環(huán)形器的完整布板
第2代RapidRF參考板還搭載了自偏置控件的PA模塊,該模塊出廠時預置了最佳偏置點,也可以針對不同應用通過可編程串行接口進行調(diào)整。該集成自偏置控件具有新穎的閉環(huán)反饋電路,它調(diào)節(jié)LDMOS柵極電壓,保持約束靜態(tài)偏置電流,用于連續(xù)溫度跟蹤。該集成式精密溫度傳感器可通過串行接口接入,能夠精確監(jiān)測PA的工作溫度。板上已經(jīng)安裝了恩智浦完整的TX/RX系列,尺寸更小,重量更輕,可簡化5G mMIMO射頻設計。該系列適用于mMIMO射頻單元(64T64R)、室外小蜂窩以及大功率宏基站的驅動器。
RapidRF Smart LDMOS前端設計框圖
性能不打折
RapidRF整體設計緊湊,但仍提供卓越的性能。它集成的Doherty功率放大器采用10mm x 8mm封裝,在額定功率下能效提高了40%。該設計還包含一個線性預驅動器、帶T/R開關的Rx低噪聲放大器和一個環(huán)行器。
RapidRF系列的近距離視圖,展示了模塊和附加組件
對于要求天線平均發(fā)射功率為2.5至8 W(34-39 dBm)的5G射頻單元,RapidRF參考板是上佳選擇。用于多個頻段的多種型號采用通用的PCB布板,簡化了設計和制造,加快了產(chǎn)品面市速度。
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全新RapidRF板可在恩智浦網(wǎng)站訂購。網(wǎng)站上提供覆蓋了3.4~4.0GHz的廣泛的參考電路。
可訂購板型號 | 頻段/功率 | 板說明 | 供貨情況 |
RAPIDRF-36SL037 | 3400~3800MHz ,8dB OBO時平均功率為5W | 用于n78頻段的64T64R mMIMO射頻單元 A3M36SL037:內(nèi)置了偏置控件的多芯片模塊 BTS6201U:Tx預驅動器 BTS7203U:帶LNA/Tx開關的Rx模擬前端IC |
可供貨 |
RAPIDRF-36SL039 | 3400~3800MHz ,8dB OBO時平均功率為8W | 用于B42和B48頻段的64T64R mMIMO射頻單元 A3M36SL039:內(nèi)置了偏置控件的多芯片模塊 BTS6201U:Tx預驅動器 BTS7203U: 帶LNA/Tx開關的Rx模擬前端IC | |
RAPIDRF-39SL039 | 3400~4000MHz ,8dB OBO時平均功率為8W | 用于C頻段的64T64R mMIMO射頻單元 A3M39SL039:內(nèi)置了偏置控件的多芯片模塊 BTS6201U:Tx預驅動器 BTS7203U:帶LNA/Tx開關的Rx模擬前端IC |
作者:
Megan Faust
恩智浦半導體射頻功率解決方案戰(zhàn)術營銷人員
Megan是恩智浦半導體射頻功率解決方案營銷團隊的戰(zhàn)術營銷人員。Megan Faust曾與恩智浦射頻移動通信基礎設施和多市場領域團隊合作。恩智浦RP應用包括SiGe、LDMOS和GaN射頻解決方案設計,適用于移動和通信基礎設施以及消費電子、工業(yè)和航空航天/國防領域。恩智浦射頻功率營銷團隊致力于使射頻更易于使用,為客戶提供支持,并應對新的細分市場中的問題。Megan負責射頻器件和評估板的物流、運營和分銷支持,同時支持恩智浦射頻功率的創(chuàng)新和市場開發(fā)。Megan獲得了亞利桑那州立大學(Arizona State University)的商業(yè)文學學士學位和應用商業(yè)數(shù)據(jù)分析認證。
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