傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。

據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。

三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒(méi)有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。

官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生產(chǎn)率，而且在相同良品率的情況下也一定程度拉低了成本，同時(shí)也意味著固態(tài)硬盤的價(jià)格會(huì)更親民。

三星電子的flash產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hur表示，由于市場(chǎng)對(duì)更密集、更大容量存儲(chǔ)的需求推動(dòng)了更高的V-NAND層數(shù)，三星采用了先進(jìn)的3D壓縮技術(shù)減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在壓縮時(shí)出現(xiàn)的單元間干擾。

而且第八代V-NAND閃存會(huì)進(jìn)一步滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，從而構(gòu)成良心循環(huán)使三星電子更好地提供更多差異化的產(chǎn)品也是未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。

今年三星推出了其第八代和第九代V-NAND產(chǎn)品以及第五代DRAM產(chǎn)品，三星電子預(yù)計(jì)到2030年會(huì)推出1000層的V-NAND。

而且現(xiàn)階段三星電子正在研發(fā)上投入更多資源，并且從其當(dāng)前的TLC架構(gòu)過(guò)渡到四級(jí)單元的QLC架構(gòu)，并以此來(lái)提高密度并啟用更多層數(shù)。