兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝,最大厚度僅為0.4mm,在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi),其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升,為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202207/436459.htm如今,隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代,在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池供電的應(yīng)用場景中,兆易創(chuàng)新對(duì)“小而精”的追求從未停止,這對(duì)應(yīng)用其中的存儲(chǔ)產(chǎn)品提出了更高的要求。一方面,需要提供足夠的代碼存儲(chǔ)空間來滿足設(shè)備正常運(yùn)行需求;另一方面,也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精,以適應(yīng)電子設(shè)備日益小型化的趨勢。
針對(duì)這一市場需求,兆易創(chuàng)新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列采用僅為1.2mm×1.2mm的超小型USON6封裝,相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封裝產(chǎn)品,縮小了高達(dá)36%的占板面積,為空間受限的產(chǎn)品提供了更大的設(shè)計(jì)自由度。在低功耗設(shè)計(jì)方面,兆易創(chuàng)新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在極低水平內(nèi),在待機(jī)狀態(tài)下,電流僅為0.1μA,可顯著延長電子設(shè)備的電池壽命。
此外,為滿足便攜式電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)需求,GD25WDxxK6提供單通道、雙通道SPI模式,具有1.65V~3.6V寬電壓工作范圍,支持512Kb~4Mb不同容量的選擇,最高時(shí)鐘頻率可達(dá)104MHz,擁有10萬次的擦寫壽命,數(shù)據(jù)有效保存期限可達(dá)20年,且全系列支持-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃溫度范圍。
兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示:“隨著萬物互聯(lián)時(shí)代下的數(shù)據(jù)狂潮席卷而來,電子設(shè)備對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品不斷發(fā)出挑戰(zhàn),而兆易創(chuàng)新要做的就是從挑戰(zhàn)中尋求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash,在方寸之間實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異性能。從小尺寸到低功耗,兆易創(chuàng)新從用戶需求出發(fā),不斷推陳出新,再次將我們‘創(chuàng)新’的DNA發(fā)揮得淋漓極致?!?/p>
目前兆易創(chuàng)新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量產(chǎn)品已全面量產(chǎn);2Mb~4Mb容量產(chǎn)品可提供樣片,預(yù)計(jì)在8月中旬實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的信息。
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