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一種實(shí)用的過欠壓防反接多功能保護(hù)電路

作者:駱訓(xùn)衛(wèi),宋金華,俱強(qiáng)偉 (同方電子科技有限公司,江西 九江 332002) 時(shí)間:2021-07-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:設(shè)計(jì)了一款過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路,可實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、同時(shí)具有防反接保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡單,即可組合使用,也可根據(jù)具體需求進(jìn)行靈活裁剪簡化。


本文引用地址:http://2s4d.com/article/202107/427107.htm

0   引言

在電網(wǎng)中,由于大功率負(fù)載關(guān)閉等動(dòng)作,會(huì)導(dǎo)致供電電網(wǎng)電壓產(chǎn)生很高的過壓浪涌,這可能造成設(shè)備因?yàn)檩斎攵诉^壓浪涌而損壞;當(dāng)設(shè)備輸入電壓過低時(shí)會(huì)導(dǎo)致設(shè)備工作不穩(wěn)定,甚至損壞輸入電源(電池過放會(huì)導(dǎo)致電池性能受損)。為了使設(shè)備工作更可靠,更能適應(yīng)各種惡劣的過壓浪涌等用電環(huán)境(如機(jī)載設(shè)備要求的80 V/50 ms 過壓浪涌、車載設(shè)備要求的100 V/500 ms 過壓浪涌[1]),本文針對(duì)以上情況設(shè)計(jì)了一款多功能保護(hù)電路[2]。

電路構(gòu)成實(shí)現(xiàn)比較簡單,所需器件比較少,僅為普通的電阻、二極管、瞬態(tài)抑制二極管、三極管和N 溝道MOS 管等。本保護(hù)電路成本較低,性價(jià)比較高;響應(yīng)速度快,前端和后端設(shè)備都能得到及時(shí)保護(hù);電子開關(guān)導(dǎo)通電阻僅為幾個(gè)毫歐,壓降幾乎忽略不計(jì),滿足各種直流輸入電路,不受輸入電壓、電流大小的限制。

作者簡介:駱訓(xùn)衛(wèi)(1977—),男,湖北嘉魚,工程師,從事電源設(shè)計(jì)工作。

宋金華(1976—),男,江西新干,高級(jí)工程師,從事電源與電磁兼容研究與設(shè)計(jì)工作。

俱強(qiáng)偉(1996—),男,陜西咸陽,從事電源設(shè)計(jì)工作。

1   原理和功能

1.1 電路原理

過欠壓、多功能保護(hù)電路工作原理如圖1所示。

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過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路包括3 個(gè)功能電路部分:過壓檢測電路、欠壓檢測電路和電子開關(guān)電路;具有過壓保護(hù)功能、欠壓保護(hù)功能和防反接保護(hù)功能。過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路適用于各種直流工作電路。

1.2 保護(hù)功能

1.2.1 過壓保護(hù)功能

按圖1 所示,將過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路接入設(shè)備輸入端,當(dāng)輸入電壓超過設(shè)定的過壓電壓值時(shí),過壓檢測電路動(dòng)作,控制電子開關(guān)電路截止,保護(hù)后端用電設(shè)備的安全。

1.2.2 欠壓保護(hù)功能

當(dāng)輸入電壓低于設(shè)定的欠壓電壓值時(shí),欠壓檢測電路動(dòng)作,控制電子開關(guān)電路截止,保護(hù)前端電源(電池)設(shè)備。

1.2.3 防反接保護(hù)功能

當(dāng)輸入端的正負(fù)極性反接,防反接保護(hù)電路控制電子開關(guān)電路截止,既保護(hù)了后端用電設(shè)備,也保護(hù)了前端供電設(shè)備。

2   電路設(shè)計(jì)

2.1 使用條件

●   使用位置:適用于任何直流輸入端、輸出端;

●   輸入電壓:適用于任何直流輸入電壓;

●   輸入電流:適用于任何直流輸入電流。

2.2 組成電路

2.2.1 過欠壓、防反接電路

過欠壓、防反接電路[3] 如圖2 所示。它由過壓檢測電路、欠壓檢測電路和電子開關(guān)電路3 個(gè)部分組成。

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2.2.2 過壓檢測電路

過壓檢測電路見圖2 所示,主要由電阻R1、電阻R4、瞬態(tài)抑制二極管V1、三極管V2 和二極管V3 組成。輸入端電壓工作在過壓狀態(tài)時(shí),電阻R1 限制流過

瞬態(tài)抑制二極管的電流,調(diào)整電阻R1 阻值可以保護(hù)瞬態(tài)抑制二極管V1 不受損壞;當(dāng)輸入電壓過壓時(shí),瞬態(tài)抑制二極管V1 反向擊穿工作,使用反向擊穿電壓大小不同的瞬態(tài)抑制二極管V1,可以適用不同輸入電壓的過壓電路;三極管V2 根據(jù)基極電流信號(hào)轉(zhuǎn)換控制信號(hào)高低電位;當(dāng)輸入電壓低于過壓值時(shí),電阻R4 將三極管V2 的基極電壓箝位在低電位,三極管V2 處于截止?fàn)顟B(tài),防止三極管V2 誤動(dòng)作。

當(dāng)輸入端工作電壓低于過壓臨界電壓時(shí),瞬態(tài)抑制二極管反向截止,三極管V2 由于電阻R4 的箝位作用,控制信號(hào)為高阻狀態(tài);當(dāng)輸入端工作電壓高于過壓臨界電壓時(shí),瞬態(tài)抑制二極管V1 反向擊穿,輸入端電壓電流經(jīng)電阻R1 限流后,流入三極管V2 的基極,三極管屬于電流控制型,三極管V2 飽和導(dǎo)通,控制信號(hào)拉低到低電壓0.7 V(二極管V3 的導(dǎo)通電壓)。

2.2.3 欠壓檢測電路

欠壓檢測電路如圖2 所示,主要由電阻R2、瞬態(tài)抑制二極管V4、電阻R3 和二極管V5 組成。

在輸入端電壓工作在正常電壓范圍內(nèi)時(shí),電阻R2、R3 限制流過欠壓檢測電路的電流,保護(hù)瞬態(tài)抑制二極管V4 和組成分壓電阻網(wǎng)絡(luò)調(diào)節(jié)控制信號(hào)電壓的大小。當(dāng)輸入電壓超過欠壓電壓時(shí)瞬態(tài)抑制二極管V4 反向擊穿工作,使用反向擊穿電壓大小不同的瞬態(tài)抑制二極管V4,可以適用不同的欠壓電路;在輸入端電壓工作在低于欠壓電壓值時(shí),電阻R3 拉低控制信號(hào)電平到0.7 V(二極管V5 的導(dǎo)通電壓)。

當(dāng)輸入端工作電壓高于欠壓電壓臨界值時(shí),瞬態(tài)抑制二極管V4 反向擊穿,控制信號(hào)電平為電阻R3 分壓電壓。當(dāng)輸入端工作電壓低于欠壓電壓時(shí),瞬態(tài)抑制二極管V4 反向截止,電阻R3 將控制信號(hào)電壓拉低到0.7 V。

2.24 電子開關(guān)電路

電子開關(guān)電路[4-5] 見圖2 所示,由N 溝通MOS 管Q1、Q2 和保護(hù)穩(wěn)壓管V6 組成。

穩(wěn)壓管V6 限制MOS 管Q1、Q2 的柵源電壓不超過設(shè)定的電壓范圍,保護(hù)MOS 管Q1、Q2 的柵源電壓不超過器件柵源電壓的最大值。

控制信號(hào)電平為MOS 管Q1、Q2 的柵源電壓。當(dāng)MOS 管Q2 的柵源電壓高于自身門極閾值時(shí),MOS 管Q1、Q2 的漏極與源極導(dǎo)通,負(fù)載負(fù)極與輸入負(fù)極導(dǎo)通,MOS 管Q1、Q2 的導(dǎo)通電阻為幾毫歐,負(fù)極壓降可以忽略不計(jì)。

3   功能裁剪與

3.1 過壓保護(hù)功能

過壓保護(hù)功能電路[6] 如圖3 所示,由過壓檢測電路(去掉了二極管V3)、電子開關(guān)電路(去掉了MOS 管Q1)和欠壓檢測電路(去掉了瞬態(tài)抑制二極管V4 和二極管V5)組成。

當(dāng)過壓檢測電路檢測到輸入電壓高于過壓值時(shí),控制信號(hào)電平被三極管V2 拉低到低電平,MOS 管Q2 的柵極電壓箝位到低電平,低于自身門極閾值,MOS 管Q2 處于截止?fàn)顟B(tài),輸入負(fù)極和負(fù)載負(fù)極不導(dǎo)通,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極形成不了電路回路,實(shí)現(xiàn)了過壓保護(hù)功能。

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3.2 欠壓保護(hù)功能

欠壓保護(hù)功能電路如圖4 所示,由欠壓檢測電路(去掉了二極管V5)和電子開關(guān)電路(去掉了MOS 管Q1)組成。

當(dāng)輸入端工作電壓高于欠壓電壓值時(shí),欠壓檢測電路工作,控制信號(hào)電平高于MOS 管Q2 的門極閾值,MOS 管Q2 的漏極與源極導(dǎo)通,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極組成電路回路。

當(dāng)輸入端工作電壓低于欠壓電壓值時(shí),電阻R3 將MOS 管Q2 的柵極電壓拉低到低電平,MOS 管Q2 的漏極與源極不導(dǎo)通,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極組成不了電路回路,實(shí)現(xiàn)了欠壓保護(hù)功能。

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3.3 防反接保護(hù)功能

防反接保護(hù)功能電路如圖5 所示,由欠壓檢測電路(去掉了瞬態(tài)抑制二極管V4)和電子開關(guān)電路組成。當(dāng)輸入端正負(fù)極正常連接時(shí),電阻R2 和R3 的分壓電平保證控制信號(hào)電平電壓高于MOS 管Q1、Q2 的門極閾值,MOS 管Q2 的漏極與源極導(dǎo)通,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極形成電路回路。

當(dāng)輸入正負(fù)極反接時(shí),①由于二極管V5 的單向?qū)ㄐ?,電壓不能?jīng)由電阻R2、R3 分壓;②電阻R2將MOS 管Q1、Q2 的柵極電壓拉低到輸入負(fù)極電壓,MOS 管Q1、Q2 的源極和漏極關(guān)斷; ③ MOS 管Q1的內(nèi)部二極管的單向?qū)ㄐ?,輸入正極電壓不能通過MOS 管Q1。由于這三方面的作用,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極無法組成電路回路,實(shí)現(xiàn)了防反接保護(hù)功能。

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3.4 過欠壓、防反接保護(hù)功能

過欠壓防反接保護(hù)功能電路如圖2 所示。當(dāng)輸入端工作電壓低于欠壓值時(shí),由于欠壓保護(hù)的作用,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極形成不了電路回路,實(shí)現(xiàn)了欠壓保護(hù)功能。

當(dāng)輸入端工作在正常電壓范圍時(shí),MOS 管Q2 的柵源電壓高于門極閾值,MOS 管Q2 的源極和漏極導(dǎo)通,由于MOS 管Q1 的內(nèi)部二極管單向?qū)ㄐ?,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極形成了電路回路,電路能正常地工作。

當(dāng)輸入端電壓工作高于過壓值時(shí),由于過壓保護(hù)的作用,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極形成不了電路回路,實(shí)現(xiàn)了過壓保護(hù)功能。當(dāng)輸入端的正、負(fù)極反接時(shí),由于防反接保護(hù)功能,輸入正極、負(fù)載和輸入負(fù)極形成不了電路回路,實(shí)現(xiàn)了防反接保護(hù)功能。

4   設(shè)計(jì)驗(yàn)證

根據(jù)上述的過欠壓防反接多功能保護(hù)電路,我們做了以下實(shí)例:

要求:受試電子設(shè)備正常工作時(shí):直流輸入電壓范圍(18 ~ 36)V,輸出電壓24 V,要求在浪涌電壓幅值100 V,持續(xù)時(shí)間500 ms 和輸入電壓低于18 V 時(shí)不損壞電子設(shè)備。

根據(jù)以上要求,運(yùn)用saber 仿真軟件[7] 設(shè)計(jì)的過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路仿真電路圖如圖6 所示。

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圖6 運(yùn)用saber設(shè)計(jì)的仿真電路圖

參數(shù)如下表1 所示。

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仿真波形如圖7 所示。

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圖7 仿真波形

仿真結(jié)論:當(dāng)輸入電壓高于34.5 V,或輸入電壓低于18 V,或輸入電壓正負(fù)極反向時(shí),過欠壓防反接多功能保護(hù)電路能快速響應(yīng),負(fù)極輸入端關(guān)斷。當(dāng)輸入電壓在(18 ~ 34.5)V 范圍內(nèi)時(shí),負(fù)載工作不受過欠壓防反接電路的影響。

實(shí)際電路驗(yàn)證:模擬浪涌設(shè)備在正常工作時(shí)輸出28 V,過壓浪涌電壓為100 V,持續(xù)時(shí)間500 ms,過壓波形如圖8所示。

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圖8 過壓波形

按表1 參數(shù)搭設(shè)實(shí)際電路,過壓浪涌時(shí),負(fù)載端電壓波形如圖9 所示。

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圖9 負(fù)載端電壓波形

通過圖9 所示,當(dāng)輸入提供直流電壓28 V 時(shí),負(fù)載能正常工作,當(dāng)100 V 電壓過壓浪涌時(shí),過欠壓、防反接電路快速關(guān)斷,負(fù)載輸入端電壓為0,負(fù)載得到保護(hù)。當(dāng)電壓恢復(fù)到正常值時(shí),負(fù)載又能正常的工作。

5   結(jié)束語

本文對(duì)過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路的工作原理和各保護(hù)功能電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹和講解。對(duì)過欠壓、防反接多功能保護(hù)電路,我們也通過實(shí)例進(jìn)行了電腦仿真驗(yàn)證和實(shí)際電路驗(yàn)證,都達(dá)到了所提要求。在實(shí)際應(yīng)用中,可以根據(jù)本文的講解結(jié)合自己的實(shí)際需求,選擇一種或幾種自己需要的保護(hù)功能電路。

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(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2021年7月期)



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