KID65783AP顯示IC的失效分析與研究
王少輝,項永金(格力電器(合肥)有限公司,安徽?合肥?230088)
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202004/412573.htm摘?要:柜機空調(diào)顯示板在廠內(nèi)生產(chǎn)過程與售后出現(xiàn)大量失效,故障現(xiàn)象表現(xiàn)為顯示多劃、混亂、LED燈異常點亮等。經(jīng)過分析為KID65783AP顯示IC失效導(dǎo)致,失效模式為1腳對V CC 屬性異?;蚱渌_對V CC 屬性異常。失效芯片經(jīng)分析為部分管腳ESD損傷,以及部分管腳漏電流偏大。本文結(jié)合顯示驅(qū)動IC的失效機理,失效電路,對顯示驅(qū)動IC產(chǎn)品設(shè)計進行優(yōu)化更改,提高顯示驅(qū)動IC的ESD(MM)水平。產(chǎn)品同時導(dǎo)入漏電流的測試,從顯示IC產(chǎn)品本身測試篩選提高可靠性。
關(guān)鍵詞:顯示驅(qū)動IC;ESD損傷;漏電流;晶圓設(shè)計;可靠性
0 引言
顯示界面比較簡單的場合,常采用LED作為顯示屏,主要是LED本身可發(fā)光,壽命長,價格低,且驅(qū)動簡單。LED顯示屏被大量應(yīng)用于空調(diào)顯示板,使用顯示效果較好。驅(qū)動LED發(fā)光二極管采用顯示驅(qū)動芯片,可以實現(xiàn)多段驅(qū)動,價格低,驅(qū)動方式簡單。顯示芯片失效后,會導(dǎo)致出現(xiàn)顯示混亂,使整機無法正常顯示,對整機使用效果影響較大,因此研究驅(qū)動顯示IC的失效模式、失效機理非常重要。
1 事件背景
家用柜機空調(diào)顯示板在廠內(nèi)生產(chǎn),以及售后故障失效突出。統(tǒng)計廠內(nèi)直接在生產(chǎn)測試中出現(xiàn)故障,售后使用失效時間也較短。故障現(xiàn)象表現(xiàn)為顯示混亂,對故障件進行復(fù)核分析,均為內(nèi)機顯示板顯示驅(qū)動IC失效,已嚴重影響空調(diào)售后故障率,顯示驅(qū)動IC失效問題急需進行分析解決。
2 失效原因及失效機理分析
KID65783AP顯示IC失效,如圖1所示,廠內(nèi)主要是顯示IC不同管腳短路,阻值變小,售后失效故障品也伴隨主控芯片失效。從外觀檢查,售后失效故障品P板均有燒黃。開封查看晶圓內(nèi)部不同管腳間均有過電擊穿損傷痕跡。
失效模式主要有兩種,一種是不同管腳對地與電源腳電阻值小,有的測試近似短路狀態(tài),主要表現(xiàn)故障為缺劃、多劃等;另一種為芯片管腳反向漏電流偏大,表現(xiàn)故障為燈微亮。
2.1 管腳值小或短路
故障顯示板全屏顯示,查看3個顯示筆段缺劃,故障如下圖2所示,測試對應(yīng)顯示驅(qū)動芯片管腳均有損傷。此故障在廠內(nèi)與售后均有失效,失效故障模式相同,均為不同管腳內(nèi)部晶圓過電損傷。
部分故障品測試為電源腳或地腳,對輸入或輸出腳阻值小,或接近短路狀態(tài)。如下圖3所示,此單故障品電源腳(9腳)與輸入腳(1腳)阻值小,正常品為MΩ級,不良品在歐級已接近短路狀態(tài)。PIN1-9短路,對應(yīng)原理圖為芯片內(nèi)部的D1二極管短路。
對故障品晶圓開封,去除表面封裝樹脂,開封發(fā)現(xiàn)PIN1對V CC 線路上的二極管出現(xiàn)擊穿損傷點,如下圖4所示。
2.2 管腳漏電流偏大
單個芯片測試性能無異常,故障品主要在廠內(nèi)失效,如圖5所示,顯示板關(guān)機后會有部分筆段發(fā)光二極管顯示微亮。
失效故障品表現(xiàn)為V CC -IN7出現(xiàn)50μA左右的漏電流(規(guī)格書對V CC -IN漏電流未做規(guī)定),如下圖6、圖7所示為芯片內(nèi)部對應(yīng)失效點。
正常品的V CC 對IN1-6端口反向漏電流幾乎是為0,如圖8所示QT2半導(dǎo)體特性曲線對比。從I/O特性判斷并非是EOS/ESD原因,晶圓本身的原因不能排除。
3 電路設(shè)計核查分析
具體顯示驅(qū)動芯片驅(qū)動電路如圖9所示,用來驅(qū)動數(shù)碼管與發(fā)光二極管點亮,驅(qū)動電壓5~12V,驅(qū)動電壓較低。主控芯片傳輸高低電平信號到U103顯示芯片,顯示芯片根據(jù)主控信號輸出電壓控制不同的發(fā)光二極管點亮,實現(xiàn)正常的顯示功能。
4 失效解決方案
從產(chǎn)品設(shè)計本身提高耐電壓能力,使產(chǎn)品各項性能提高,可靠性增強。對產(chǎn)品篩選檢驗測試增加新的管控項目,強化產(chǎn)品的測試篩選。
4.1 導(dǎo)入漏電流測試
廠家對出廠產(chǎn)品檢測方法進行強化改善,增加管腳的漏電流的測試,增加輸入輸出電流法檢測,對器件管腳進行檢測,避免因廠家檢測問題導(dǎo)致故障品流入我司。
在輸出端與輸入端端子間追加漏電流測試項目,晶圓狀態(tài)有問題,可以有效檢出。具體如表1、圖10、圖11所示。
4.1.2 輸出端耐電壓檢測
由于故障品為EOS損傷,損傷點為輸出端對地漏電流偏大,對現(xiàn)有測試項目強化,對各輸出端增加耐電壓檢測項目。測定條件和方法:各channel的V CC →OUT Leak。具體測試條件如表2、圖12、圖13。
4.2 提高晶圓的抗靜電能力
通過改變晶圓的內(nèi)部的間隙來提高晶圓的抗靜電能力,主要擴大如圖14所示6個位置的間距。導(dǎo)入優(yōu)化晶圓設(shè)計,將失效區(qū)晶圓內(nèi)部區(qū)域間距放大,提高本體的ESD(MM)水平。如圖14、表3所示,改善之后晶圓抗靜電耐壓能力明顯提高。
5 失效整改總結(jié)及意義
確認芯片失效為廠家本身產(chǎn)品設(shè)計,以及篩選不良,在我司使用出現(xiàn)故障。通過改變失效位置晶圓內(nèi)部的電氣間隙,提高晶圓的耐壓。增加輸入與輸出端的漏電流測試,以及耐電壓測試,可有效地提高產(chǎn)品本身的抗靜電能力,且更好地對產(chǎn)品進行篩選。本文從KID65783AP顯示IC的失效原因,以及失效機理、應(yīng)用電路等多方面進行分析,提高了芯片本身的抗靜電能力,售后整改效果顯著。
參考文獻:
[1] 楊周偉,翟東媛.高抗ESD瞬態(tài)電壓抑制器的研究[J].功能材料與器件學(xué)報,2013(8).
[2] 郝素榮.集成電路的原理及可靠性分析[J].電子制作,2013(04).
[3] 趙智超,吳鐵峰.CMOS器件受靜電損傷的機理及保護[J].科技創(chuàng)業(yè)月刊,2017(10b).
(注:本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2020年第05期第79頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。)
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