傳Intel 2021年用上臺積電6nm 2022年直接上馬3nm工藝

在半導(dǎo)體工藝上,Intel的10nm已經(jīng)量產(chǎn),但是官方也表態(tài)其產(chǎn)能不會跟22nm、14nm那樣大,這或許是一個重要的信號。此前業(yè)界多次傳出Intel也會外包芯片給臺積電,最新爆料稱2022年Intel也會上臺積電3nm。

來自業(yè)界消息人士@手機(jī)晶片達(dá)人的爆料稱,Intel預(yù)計會在2021年大規(guī)模使用臺積電的6nmn工藝,目前正在制作光罩(Mask)了。

在2022年Intel還會進(jìn)一步使用臺積電的3nm工藝代工。

在更早的爆料中,手機(jī)晶片達(dá)人指出Intel 2021年開始外包外公的主要是GPU及芯片組,還警告說2021年蘋果、海思、Intel及AMD會讓產(chǎn)能非常緊張。

假如Intel真的打算擴(kuò)大外包,除了已經(jīng)部分外包的芯片組之外,首當(dāng)其沖的就是GPU,因為GPU相對CPU制造來說更簡單一些,而且臺積電在GPU制造上很有經(jīng)驗。

結(jié)合之前的消息來看,Intel的Xe架構(gòu)獨顯DG1使用的是自家10nm工藝制造,今年底上市,擁有96組EU執(zhí)行單元,一共是768個核心,基礎(chǔ)頻率1GHz,加速頻率1.5GHz,1MB二級緩存以及3GB顯存,TDP為25W。

預(yù)計DG1的性能與GTX950相當(dāng),比GTX 1050則差了15%左右,總體定位不高,適合高能效領(lǐng)域,尤其是筆記本GPU。

DG1之后還會有DG2獨顯,這就是一款高性能CPU了,之前爆料DG2會用上臺積電的7nm工藝,現(xiàn)在來看應(yīng)該是7nm改良版的6nm工藝了。

不過2021年Intel自己的7nm工藝也會量產(chǎn),官方早已宣布用于數(shù)據(jù)中心的Ponte Vecchio加速卡會使用自家的7nm EUV工藝。