三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問世
由于在7nm節(jié)點激進地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后,三星已經(jīng)加快了新工藝的進度,日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨,今年還會完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202001/408948.htm在進入10nm節(jié)點之后,半導體工藝制造越來越困難,但需求還在不斷提升,這就導致臺積電、三星把不同的工藝改進下就推出新工藝了,而三星的6nm工藝實際上也就是7nm工藝的改進版,在7nm EUV基礎上應用三星獨特的Smart Scaling方案,可以大大縮小芯片面積,帶來超低功耗。
消息人士透露,三星晶圓制造業(yè)務的高管已經(jīng)確認6nm工藝的芯片出貨量產(chǎn),交付給北美的客戶——雖然三星官方?jīng)]有提及具體信息,但這個北美客戶應該是高通公司,目前還不確定是哪款芯片。
如果6nm成功量產(chǎn),那三星手里現(xiàn)在進入真正量產(chǎn)階段的工藝就有7nm EUV、6nm LPP兩種了,可以更好地從臺積電手中搶市場了。
在6nm之后,三星還希望今年推出5nm EUV工藝,臺積電也是預定今年上半年量產(chǎn)5nm EUV工藝的,這樣一來三星總算上追上臺積電的工藝進度了,不過三星依然沒有公布5nm的客戶是誰。
三星真正有希望超越臺積電的工藝是3nm,他們是第一家官宣使用全新GAA晶體管的,在3nm節(jié)點將會用GAA環(huán)繞柵極晶體管取代FinFET晶體管,三星希望2021年量產(chǎn)3nm工藝,而今年上半年完成3nm工藝開發(fā)。
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