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800 MHz~1250 MHz 70 W高效功率放大模塊設(shè)計

作者:劉傳洋,鄭 燾 時間:2019-11-29 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  劉傳洋,鄭?燾(中國電子科技集團(tuán)公司第三十六研究所,浙江?嘉興?100048)

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201911/407669.htm

  摘?要:主要介紹了一款頻段為800 MHz~1250 MHz,輸出功率大于70 W高效小型化模塊的設(shè)計,著重討論SiC單管電路的匹配電路的仿真與設(shè)計。根據(jù)仿真電路設(shè)計版圖,加工安裝模塊,實測在800 MHz~1250 MHz頻段上飽和功率輸出大于70 W,增益大于7.5 dB,效率大于40%。

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  作者簡介劉傳洋(1977—),男,高級工程師,畢業(yè)于吉林大學(xué)通信工程專業(yè),從事功率合成技術(shù)研究。

  鄭 燾(1981—),男,高級工程師,畢業(yè)于成都電子科技大學(xué)電磁場與微波專業(yè),從事功率合成技術(shù)研究。

  在現(xiàn)代電子裝備系統(tǒng)中,對功率放大器提出了更高的要求,要求功率放大器提供更大的功率等級,更高的工作效率。作為系統(tǒng)中的單元功放,其效率的高低,體積的大小,對系統(tǒng)有著直接的影響。功放模塊作為功率放大器的基本單元,它的效率、體積決定了整機(jī)的效率和體積。

  在L頻段,現(xiàn)在最常用的功率管主要有雙極性晶體管和場效應(yīng)管,雙極性晶體管的效率比較低,增益也不夠高。我們就選用了一種采用SiC材料的場效應(yīng)功率管。相對于硅和砷化鎵等材料,SiC具有更高的擊穿電壓,更加良好的導(dǎo)熱性,還有較高的電子遷移率。因此SiC場效應(yīng)管能提供較高的飽和功率和更寬的帶寬。

  為解決小型化高效功率模塊設(shè)計的問題,本文提供了一種設(shè)計思路。以SiC材料的CRF-24060為例,設(shè)計了800 MHz~1 250 MHz,功率等級70瓦的功率放大器模塊,其工作效率可以達(dá)到40%以上 [1-3]

  1 設(shè)計思路

  隨著計算機(jī)輔助設(shè)計軟件的推廣應(yīng)用,在射頻微波電路設(shè)計領(lǐng)域,本文利用ADS軟件對CRF-24060的進(jìn)行設(shè)計。

  用ADS設(shè)計功放電路,最理想的情況是器件生產(chǎn)商提供大信號情況下的器件模型。這樣不僅可以進(jìn)行匹配電路的優(yōu)化(如輸出功率和增益),還能用諧波平衡法進(jìn)行電路的非線性仿真,如N次諧波分量、三階互調(diào)等。本文中的CRF-24060值提供了功放管的小信號模型,設(shè)計思路就是根據(jù)功放管的小信號模型進(jìn)行輸入輸出匹配電路的設(shè)計,保證輸入輸出有良好的匹配。

  下面,通過一個800 MHz~1 250 MHz 50 W功放模塊的設(shè)計全過程,講述如何用ADS軟件來進(jìn)行高效功放的設(shè)計。

  2 功放模塊的設(shè)計

  2.1 功放管的選型

  作為一種新型的半導(dǎo)體材料,SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造短波長光電子器件、高溫器件、抗輻照器件和大功率/高額電子器件最重要的半導(dǎo)體材料。特別是在極端條件和惡劣條件下應(yīng)用時,SiC器件的特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了Si器件和GaAs器件。

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  本文選用了一款SiC MESFET功放器件CRF-24060作為設(shè)計對象,主要參數(shù)如圖1所示。此功率管推薦工作頻段在800 MHz~1 600 MHz,本文對此管子進(jìn)行擴(kuò)頻使用。通過產(chǎn)品資料可以看到在推薦頻段內(nèi),增益大于10 dB,輸出功率大于48 dBm。

  2.2 匹配電路仿真設(shè)計

  圖3是對其建立了小信號電路仿真拓?fù)淠P?,利用CRF-24060的小信號模型,在ADS軟件中對其輸入輸出電路分別進(jìn)行匹配,設(shè)置優(yōu)化參數(shù),設(shè)置優(yōu)化目標(biāo),保證其輸入輸出電路在800 MHz~1 250 MHz頻段內(nèi)有著最優(yōu)的匹配。

  本文將仿真頻段往下拓展到700 MHz,保證其在低頻段也能滿足指標(biāo)要求。優(yōu)化后S21在10 dB以上,S22小于-11 dB,滿足本文功放模塊設(shè)計要求。仿真結(jié)果圖如圖3所示。

  3 功放模塊的實測

  如圖4所示,根據(jù)仿真結(jié)果,生成輸入輸出的印制板圖,在柵極以及漏極分別加上供電電路。

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  按照該匹配輸入輸出加工電路板,進(jìn)行安裝測試,功率放大模塊的實物圖如圖5所示。

  圖6所示的是功放模塊的實測飽和功率、增益、效率實測圖。從圖上可以看到該模塊飽和功率輸出大于70W,增益大于7.5 dB,效率大于40%。

  4 結(jié)論

  功率模塊的小型、高效性對功放的小型化和高效起著決定性的因素。功率放大器的設(shè)計方法有很多,除了本文介紹的外,還有基于大信號模型的仿真設(shè)計。不同設(shè)計方法之間不存在絕對的優(yōu)與差,主要還是根據(jù)設(shè)計師的喜好,以及廠家提供的模型類型來決定設(shè)計方法。本文介紹了一種基于SiC材料的功率放大管的設(shè)計方法,對其輸入輸出電路分別進(jìn)行匹配,加工并裝配了功率放大模塊,實測結(jié)果表明該功率放大模塊在(800~1 250)MHz頻段內(nèi)輸出功率大于70 W,效率大于40%。此種功率放大模塊在有源相控陣系統(tǒng)具有廣闊的應(yīng)用前景。

  參考文獻(xiàn)

  [1] 電子科技大學(xué) 微波集成電路設(shè)計

  [2] 劉學(xué)觀,郭輝萍.微波技術(shù)與天線[M].西安:西安電子科技大學(xué)出版社.

  [3] 王寶志.微波技術(shù)與工程天線[M].北京:人民郵電出版.

  本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2019年第12期第44頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。



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