5G高頻讓氮化鎵放光彩 硅基氮化鎵將進入量產(chǎn)

　　5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導體制程成為功率放大器(PA)市場主流技術(shù)，同時，GaN功率元件也開始被大量應用在車聯(lián)網(wǎng)及電動車領(lǐng)域?？春肎aN市場強勁成長爆發(fā)力，世界先進(5347)經(jīng)過3年研發(fā)布局，今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程將進入量產(chǎn)，成為全球第一家提供8吋GaN晶圓代工的業(yè)者，大啖5G及車電市場大餅。

　　臺積電及世界先進近年來積極投入GaN制程研發(fā)，今年可望開花結(jié)果，合力搶進快速成長的GaN晶圓代工市場。臺積電與德商戴樂格(Dialog)等客戶合作，已開始提供6吋GaN晶圓代工服務;世界先進與設(shè)備材料廠Kyma、轉(zhuǎn)投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作，去年底已成功試產(chǎn)8吋GaN晶圓，今年將成為全球首家提供8吋GaN晶圓代工服務的業(yè)者。

　　相較于硅制程及砷化鎵(GaAs)等成熟半導體技術(shù)，GaN是相對較新的制程。隨著5G技術(shù)即將全面商用，基地臺升級商機龐大，由于5G技術(shù)上采用更高操作頻率，業(yè)界對于GaN元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體(LDMOS)并成為市場主流技術(shù)已有高度共識。另外，在手機PA元件部份，3G及4G主要采用GaAs制程，5G因為高頻的關(guān)系，讓GaN制程的PA元件很有機會成為市場新主流。

　　市調(diào)機構(gòu)拓墣指出，GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使晶片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計。同時，低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失，對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?/p>

　　在射頻及PA元件、與車用電子等相關(guān)晶片市場中，包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠位居主導地位，但在GaN技術(shù)上，IDM廠反而開始透過晶圓代工廠取得產(chǎn)能。也因此，世界先進順利搶進8吋GaN晶圓代工市場，可望爭取到更多5G及車電等相關(guān)晶圓代工訂單。

　　世界先進去年合并營收年減3.6%達249.10億元，歸屬母公司稅后凈利年18.7%達45.05億元，每股凈利2.75元，符合市場預期。世界先進董事會決議今年每普通股擬配發(fā)3元現(xiàn)金股利。由于8吋晶圓代工產(chǎn)能吃緊，加上硅晶圓價格看漲，世界先進與客戶協(xié)商后已小幅調(diào)漲第一季晶圓代工價格，由于產(chǎn)能全年供不應求，價格應可逐季調(diào)漲，有助于營收及獲利表現(xiàn)。