紫光國芯官方確認 首款國產(chǎn)DDR4內(nèi)存明年上市

　　最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實性，因為貼紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣，對應的其實是 DDR3 1600 內(nèi)存。但是近日紫光官方竟然主動承認了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實有相關(guān)的計劃。

　　近日，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上發(fā)出了正式回應，他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實在開展 DDR4存儲芯片和模組的設計與開發(fā)工作，而按照計劃，該產(chǎn)品將會在明年逐步推向市場，這也意味著國內(nèi)首條自主研發(fā)DDR4內(nèi)存確認將會在明年問世。其實早在今年3月份，紫光國芯的 DDR4 和LPDDR4 內(nèi)存就已經(jīng)通過了科技成果評價。

　　現(xiàn)在紫光其實是有 DDR3 閃存在售的，在網(wǎng)友們測試之后也紛紛表示雖然不支持XMP 等功能，超頻到1866也能夠正常運行，已經(jīng)達到了可以穩(wěn)定使用的水準，所以對于下一代 DDR4內(nèi)存，我們也是對紫光保有更大的期待。

　　而在今年 1 月，紫光也宣布投資 2000 億元在南京建設半導體產(chǎn)業(yè)基地，建成后月產(chǎn)晶圓 10 萬片，是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠。同時紫光也投資了長江存儲，計劃打造國產(chǎn)的 3D NAND 閃存，所以未來紫光的努力或許會在芯片、DRAM 和閃存等多個領(lǐng)域開花結(jié)果，而這或許會幫助紫光成為世界范圍內(nèi)為數(shù)不多能夠自設計、自生產(chǎn)、自銷售的半導體企業(yè)。