宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40V氮化鎵功率晶體管

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導(dǎo)通電阻為5 m?及脈沖輸出電流為175 A。

　　與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級(jí)封裝的EPC2049氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級(jí)封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。設(shè)計(jì)師不需要選擇設(shè)計(jì)更小型化還是性能更高的產(chǎn)品，而是二者可以同時(shí)兼得!

　　EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升eGaN®器件的性能之同時(shí)能夠降價(jià)。EPC2049進(jìn)一步印證了eGaN與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績(jī)效差距正在繼續(xù)擴(kuò)大。」

　　價(jià)格及供貨

　　EPC2049 eGaN FET在批量為1,000片時(shí)的單價(jià)為2.19美元，可以立即從Digikey公司、 深圳市世強(qiáng)先進(jìn)科技有限公司或威健國(guó)際公司購(gòu)買(mǎi)。