TowerJazz和Crocus攜手規(guī)模量產(chǎn)TMR磁傳感器
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,全球?qū)I(yè)代工領(lǐng)導(dǎo)者TowerJazz和TMR(隧道磁阻)磁傳感器技術(shù)及嵌入式MRAM(磁隨機(jī)存儲(chǔ)器)領(lǐng)先開發(fā)商Crocus公司,近日共同宣布雙方將利用TowerJazz公司Cu BEOL(后道工序)中具有專用磁模塊的0.13um CMOS工藝,大規(guī)模量產(chǎn)Crocus公司的TMR傳感器。Crocus公司通過將自己的磁傳感器制造工藝、專有技術(shù)和IP,結(jié)合TowerJazz公司的工藝技術(shù)及集成經(jīng)驗(yàn),成功的將TMR技術(shù)授權(quán)給了一家汽車Tier 1客戶,為合作雙方帶來了業(yè)務(wù)提升。
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數(shù)月前,Crocus公司曾宣布,將其先進(jìn)的TMR磁傳感技術(shù)相關(guān)IP授權(quán)給汽車半導(dǎo)體解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者NXP Semiconductors(恩智浦半導(dǎo)體)。TMR技術(shù)能夠幫助實(shí)現(xiàn)動(dòng)力轉(zhuǎn)向和電子節(jié)氣門控制(ETC)等下一代應(yīng)用。授權(quán)合作將幫助NXP為其汽車應(yīng)用帶來更高的靈敏度和性能,進(jìn)一步降低功耗,提高集成度。
據(jù)麥姆斯咨詢此前報(bào)道,2015年全球磁傳感器市場(chǎng)規(guī)模約為22.5億美元,預(yù)計(jì)到2022年將增長至41.6億美元,2016~2022年期間的復(fù)合年增長率為8.87%。市場(chǎng)增長的驅(qū)動(dòng)力主要源自多個(gè)垂直產(chǎn)業(yè)對(duì)高品質(zhì)傳感器件的需求增長,尤其是汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)MEMS磁傳感器需求的增長,以及在消費(fèi)電子應(yīng)用中的持續(xù)增長。
能夠感知磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁換能器廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)和電子設(shè)備中,用于測(cè)量電流、位置、運(yùn)動(dòng)、方向及其它物理參數(shù)。Crocus公司的TMR技術(shù)是一種基于CMOS工藝的強(qiáng)大技術(shù),在靈敏度、性能、功耗、尺寸方面具有重要優(yōu)勢(shì),并能與CMOS工藝完全整合,打造單芯片IC,能夠?yàn)榭蛻魩砀偷墓?、更?jiān)固的器件設(shè)計(jì)以及高溫性能。Crocus的TMR解決方案非常理想的適用于物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)類、醫(yī)療、汽車以及工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用。
“我們之所以選擇TowerJazz,是因?yàn)樗鼈兡軌蜢`活的將其TS13平臺(tái)整合我們包含磁性材料的TMR技術(shù),而CMOS工藝中一般不會(huì)應(yīng)用磁性材料。TowerJazz的大規(guī)模制造經(jīng)驗(yàn),可以幫助我們成功的滿足多個(gè)市場(chǎng)對(duì)下一代傳感器的性能需求。我們已經(jīng)和TowerJazz合作多年,雙方共同努力使技術(shù)越來越成熟,不斷開拓業(yè)務(wù)和IP授權(quán),” Crocus首席執(zhí)行官M(fèi)ichel Desbard評(píng)價(jià)道。
“隨著我們的日常生活對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求日益增長,市場(chǎng)對(duì)智能傳感、低功耗及傳感器性能的需求與日俱增。Crocus公司成功的授權(quán)了它們的IP,結(jié)合TowerJazz的制造能力和專有技術(shù),將使我們能夠?yàn)楦鱾€(gè)市場(chǎng)的眾多客戶提供先進(jìn)的、極具競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式解決方案。通過雙方的合作,拓寬了我們?cè)趥鞲衅魇袌?chǎng)的布局,補(bǔ)充了我們的MEMS和圖像傳感器規(guī)劃,” TowerJazz公司TOPS BU和研發(fā)工藝部副總裁Zmira Shternfeld-Lavie如是說。
Crocus公司的TMR磁傳感器預(yù)計(jì)將在許多應(yīng)用領(lǐng)域取代現(xiàn)有的傳感器技術(shù)。Crocus公司的TMR磁傳感器產(chǎn)品家族包括了基于其Magnetic Logic Unit(MLU)技術(shù)的多種架構(gòu),MLU技術(shù)是Crocus公司專利保護(hù)的一種基于CMOS的突破性磁傳感技術(shù)。
評(píng)論