關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)
手機(jī)串口一般是CMOS電平,當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊,wifi模塊,語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí),常常會(huì)涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況,同時(shí)也會(huì)涉及到不同開發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn),其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換,TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換?,F(xiàn)簡(jiǎn)要的總結(jié)下常用的TTL電平,CMOS電平和EIA電平,以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí):
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201708/362623.htm一、集成邏輯電路的分類:
按電路組成的結(jié)構(gòu)來(lái)分,可將數(shù)字電路分為分立元件電路和集成電路兩類。
集成電路具有體積小、成本低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
按制造工藝的不同,集成邏輯門可分為雙極型邏輯門和單極型邏輯門兩大類。
TTL(晶體管-晶體管邏輯)屬于雙極型邏輯門,速度快、抗干擾能力和帶負(fù)載能力強(qiáng)。功耗較大,集成度較低,不適合做成大規(guī)模集成電路,主要有54/74系列標(biāo)準(zhǔn)TTL、高速型TTL(H-TTL)、低功耗型TTL(L-TTL)、肖特基型TTL(S-TTL)、低功耗肖特基型TTL(LS-TTL)五個(gè)系列。
TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯"1",0V等價(jià)于邏輯"0",這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。
CMOS邏輯門屬于單極型邏輯門,CMOS電路具有制造工藝簡(jiǎn)單、功耗小、集成度高、無(wú)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。其缺點(diǎn)是速度較慢。 CMOS電平電壓范圍在3~15V,比如4000系列當(dāng)5V供電時(shí),輸出在4.6以上為高電平,輸出在0.05V以下為低電平。輸入在3.5V以上為高電平,輸入在1.5V以下為低電平。
TTL電平與CMOS電平的區(qū)別
(一)TTL高電平3.6~5V,低電平0V~2.4V
CMOS電平Vcc可達(dá)到12V
CMOS電路輸出高電平約為0.9Vcc,而輸出低電平約為0.1Vcc。
CMOS電路不使用的輸入端不能懸空,會(huì)造成邏輯混亂。
TTL電路不使用的輸入端懸空為高電平,另外,CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化,因而對(duì)電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴(yán)格。 用TTL電平他們就可以兼容。
(二)TTL電平是5V,CMOS電平一般是12V。
因?yàn)門TL電路電源電壓是5V,CMOS電路電源電壓一般是12V。 5V的電平不能觸發(fā)CMOS電路,12V的電平會(huì)損壞TTL電路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL電平和CMOS電平標(biāo)準(zhǔn)
TTL電平: 輸出 L: <0.4V ; H:>2.4V 輸入 L: <0.8V ; H:>2.0V
TTL器件輸出低電平要小于0.4V,高電平要大于2.4V。輸入,低于0.8V就認(rèn)為是0,高于2.0就認(rèn)為是1。
CMOS電平:輸出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc 輸入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc.
RS-232C(DB9)接口定義
RS-232C標(biāo)準(zhǔn)采用EIA電平,規(guī)定:
“1”的邏輯電平在-3V~-15v之間
“0”的邏輯電平在+3V~+15V之間。
由于EIA電平與TTL電平完全不同,必須進(jìn)行相應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換,MCl488完成TTL電平到EIA電平的轉(zhuǎn)換,MCl489完成EIA電平到ITL電平的轉(zhuǎn)換。還有MAX232可以同時(shí)完成TTL->EIA和EIA->TTL的電平轉(zhuǎn)換。
評(píng)論