存儲“芯”動態(tài)：美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

　　多數(shù)手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。

　　半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　美光計劃斥資20億美元 擴產(chǎn)廣島DRAM廠

　　據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，美光科技計劃未兩至三年斥資20億美元，在位于日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。

　　報導(dǎo)指出，美光已在這座廠房內(nèi)增設(shè)無塵室，并準(zhǔn)備研發(fā)13納米芯片的制程技術(shù)。該公司已買下多臺訂價數(shù)十億日元的尖端芯片制造設(shè)備進行研發(fā)，預(yù)料在DRAM芯片開始量產(chǎn)后，還會添購更多設(shè)備。這座工廠原屬于爾必達(Elpida)，2013年隨著爾必達一起并入美光旗下。

　　目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加緊研發(fā)，以趕上業(yè)界龍頭韓國三星電子的腳步。和美光目前采用的16納米制程技術(shù)相比，13納米芯片裝配在單一晶圓上的數(shù)量更多，生產(chǎn)效益預(yù)料可提升逾20%。

　　90億美元!三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

　　三星電子5月29日表示，正考慮在中國西安的生產(chǎn)基地擴充存儲芯片產(chǎn)能。因應(yīng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)對存儲芯片的需求。

　　三星電子發(fā)言人證實，三星電子考慮擴充西安廠的產(chǎn)能，但未提供其他細(xì)節(jié)。三星電子已對西安廠投資70億美元，生產(chǎn)3D NAND存儲芯片。這種芯片用于高端信息儲存產(chǎn)品，像是智能手機、個人電腦和服務(wù)器。

　　韓國媒體早先報導(dǎo)，三星電子正和中國官方洽談，將擴充西安廠產(chǎn)能，投資額高達10萬億韓元(89.3億美元)，預(yù)定今年底前動工。2019年開始營運。