2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

　　根據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當(dāng)前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預(yù)估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

　　SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2020 年將逼近 4,000 億美元市場規(guī)模，每年的復(fù)合成長率都將維持一定的水準(zhǔn)。

　　而以 2017 年來說，晶圓廠的相關(guān)支出將會以晶圓代工與 3D NAND 閃存為大宗。其中，存儲支出達(dá) 227 億美元，晶圓代工的支出則是來到的 145 億美元。至于，在 DRAM 方面，因為近期廠商多轉(zhuǎn)入 2X 納米制程上，并無明顯新增產(chǎn)能。預(yù)計必須來到 2018 年之后，技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn) 1X 納米制程，屆時才會有比較多的產(chǎn)能開出。

　　另外，近期大家所關(guān)心的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾瑞榆也指出，中國大陸地區(qū)目前是僅次于中國臺灣地區(qū)與日本的前 3 大半導(dǎo)體設(shè)備市場。2016 年中國大陸的晶圓廠建廠支出金額約 20 億美元，2017 年則將持續(xù)興建新晶圓廠的動作，統(tǒng)計將有 20 座晶圓廠先后啟動建廠，使得 2017 年中國大陸晶圓廠的建廠支出將一舉超過 40 億美元的紀(jì)錄，占全球 70% 的比例。

　　曾瑞榆進(jìn)一步指出，就個別廠商來觀察，2018 年之前，中國大陸企業(yè)的投資金額都將少于來自中國臺灣地區(qū)及韓國等半導(dǎo)體企業(yè)的支出。但是自 2019 年之后，中國本土廠商投資金額將呈現(xiàn)跳躍式成長，首度超越外商的支出金額。時至 2019 年，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)能在全球占有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規(guī)模，逐漸提升其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位。