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10年追“芯”路 “中國(guó)存儲(chǔ)器航母”終起航

作者: 時(shí)間:2017-01-11 來(lái)源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 收藏
編者按:雖然我國(guó)缺乏大規(guī)模存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠家,但全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)放緩,為我國(guó)實(shí)現(xiàn)趕超、縮小差距提供了難得機(jī)遇。

  是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝,同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。未來(lái),隨著武漢光谷國(guó)家基地逐步建成,我國(guó)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將再上新臺(tái)階。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201701/342737.htm

  2016年年底,總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢光谷開(kāi)工。該項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城,將建設(shè)3座3D NAND Flash FAB廠房。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn);2020年完成整個(gè)項(xiàng)目,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。記者了解到,目前一期建設(shè)的80億美元資金已全部到位。

  集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)接受記者采訪時(shí)說(shuō),國(guó)家存儲(chǔ)器基地動(dòng)工建設(shè),標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破,這是“國(guó)家戰(zhàn)略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運(yùn)作”新模式的成功探索。未來(lái),這里將建起“航母級(jí)芯片工廠”。


  中國(guó)玩家來(lái)了

  據(jù)介紹,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè),總占地面積1968畝。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售于一體,建成后還將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)發(fā)展。

  存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝,同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展,存儲(chǔ)芯片在整個(gè)芯片市場(chǎng)占比超過(guò)25%,未來(lái)5年內(nèi)將達(dá)到45%左右。賽迪智庫(kù)半導(dǎo)體所所長(zhǎng)霍雨濤認(rèn)為,當(dāng)前全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)放緩,為我國(guó)實(shí)現(xiàn)趕超、縮小差距提供了難得機(jī)遇。

  “此前,我國(guó)沒(méi)有大規(guī)模存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠家?!壁w偉國(guó)介紹,由于技術(shù)難度高、投資總量大,目前全球僅有三星、東芝、美光、海力士四大“玩家”能生產(chǎn)主流存儲(chǔ)器。要贏得存儲(chǔ)芯片制造的競(jìng)爭(zhēng),就必須建起“航母級(jí)”芯片工廠。“核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元,相當(dāng)于每平方米面積的核心廠房,都是用300張一百美元面值的鈔票堆出來(lái)的”。趙偉國(guó)如此形容項(xiàng)目投資金額之巨大。

  追“芯”10年路

  長(zhǎng)江存儲(chǔ)的起點(diǎn)不低,投產(chǎn)后將生產(chǎn)3D NAND閃存。這種將過(guò)去平面閃存作立體堆疊的三維閃存,存儲(chǔ)芯片相當(dāng)于實(shí)現(xiàn)了從“平房”到“樓房”的跨越。目前,三星的V-NAND閃存,堆棧層數(shù)從24層提高到48層。

  長(zhǎng)江存儲(chǔ)能否趕上國(guó)際巨頭?趙偉國(guó)信心十足。他說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)是在武漢新芯的基礎(chǔ)上建立的。兩年前,武漢新芯就開(kāi)始對(duì)3D NAND閃存展開(kāi)研發(fā),這個(gè)領(lǐng)域正是中國(guó)存儲(chǔ)芯片制造業(yè)彎道超車的機(jī)會(huì)。

  2006年,湖北省、武漢市和東湖高新區(qū)投資107億元建設(shè)了武漢新芯12英寸晶圓制造項(xiàng)目,投資額占當(dāng)年湖北省國(guó)有經(jīng)濟(jì)投資總額的近十分之一。經(jīng)過(guò)10多年積累,以武漢新芯為龍頭,集聚了芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝材料等相關(guān)企業(yè)近50家,包括武漢高德紅外、海思光電子、烽火通信、中船(武漢)微電子等企業(yè),總產(chǎn)值達(dá)到50億元。

  “追‘芯’10年,武漢成為國(guó)家重點(diǎn)支持的集成電路四大產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)之一。”武漢東湖開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)一位負(fù)責(zé)人說(shuō)。

  日前公布的《促進(jìn)中部地區(qū)崛起“十三五”規(guī)劃》明確指出“支持武漢、合肥建設(shè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地”。目前,湖北省和武漢市舉全省、全市之力,將這一項(xiàng)目打造成轉(zhuǎn)型跨越發(fā)展的千億高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。武漢東湖高新區(qū)加快引進(jìn)芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)的重點(diǎn)企業(yè),積極打造集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系,并組建武漢國(guó)際微電子學(xué)院、集成電路工業(yè)研究院、國(guó)家IP交易中心,努力打造世界級(jí)的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。

  后發(fā)有優(yōu)勢(shì)

  華中科技大學(xué)超大規(guī)模集成電路與系統(tǒng)研究中心主任鄒雪城說(shuō),中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)布局如同一只向東飛行的展翅大雁:雁頭是上海、長(zhǎng)三角地區(qū),左翼向北,通過(guò)環(huán)渤海,向西安,右翼向南,通過(guò)福州、廈門到深圳;武漢,處在大雁身體的正中。

  “中國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有后發(fā)優(yōu)勢(shì)?!壁w偉國(guó)拿集團(tuán)旗下的展訊通信舉例說(shuō),十幾年前,中國(guó)沒(méi)有設(shè)計(jì)、生產(chǎn)手機(jī)芯片的能力,但現(xiàn)在展訊已排名全球第三,前兩位是國(guó)際巨頭高通和聯(lián)發(fā)科。

  清華大學(xué)微電子學(xué)研究所所長(zhǎng)魏少軍表示,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)講求規(guī)模,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的建立對(duì)于做大做強(qiáng)中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)了一個(gè)好頭,有效解決了國(guó)家存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的隱患;在長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)投資后3年左右時(shí)間,“將是投資人和管理團(tuán)隊(duì)最困難的時(shí)候”。只有邁過(guò)這個(gè)坎,長(zhǎng)江存儲(chǔ)才能成為中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。

  趙偉國(guó)對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)前景十分看好,他的信心來(lái)自三個(gè)方面:首先是中國(guó)龐大的本土市場(chǎng);其次是本土人才;第三是資本?!拔錆h有產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),經(jīng)濟(jì)實(shí)力雄厚,政府對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的理解也非常深刻。”他認(rèn)為,中國(guó)在一些領(lǐng)域已經(jīng)基本具備了邁入國(guó)際前列的能力。根據(jù)存儲(chǔ)器基地建設(shè)進(jìn)度,產(chǎn)能將進(jìn)入世界前五乃至前二,與韓國(guó)三星旗鼓相當(dāng),趕超時(shí)間預(yù)計(jì)為5年至15年。



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