Cypress于聯(lián)電製造的eCT嵌入式快閃記憶體MCU開(kāi)始量產(chǎn)出貨

　　聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性記憶體解決方案廠(chǎng)商Cypress今(14日)共同宣布，在聯(lián)電製造的專(zhuān)有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃記憶體的微電腦控制器(MCU)已量產(chǎn)出貨。 此次量產(chǎn)展現(xiàn)Cypress快閃記憶體技術(shù)結(jié)合聯(lián)電40奈米低功耗(40LP)邏輯製程的多年合作結(jié)果。 40奈米eCT 快閃記憶體的尺寸僅為0.053μm2，比最接近之競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的尺寸約小25%。 eCT快閃記憶體可滿(mǎn)足最嚴(yán)苛的高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的兩個(gè)關(guān)鍵特性，即8 nsec的隨機(jī)存取速率和30μsec的字元編程速度。 同時(shí)，亦可滿(mǎn)足汽車(chē)嚴(yán)格的可靠性要求。

　　Cypress記憶體部門(mén)資深副總經(jīng)理Sam Geha表示：「這是eCT技術(shù)的一個(gè)重要里程碑，證實(shí)了Cypress和聯(lián)電合作關(guān)系的成功。以目前的進(jìn)展速度，今年年底前，具eCT 非揮發(fā)性記憶體的MCU出貨量將超過(guò)700萬(wàn)顆。我們并開(kāi)始提供具業(yè)界最小單元尺寸的嵌入式快閃記憶體技術(shù)，利用我們的記憶體專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)和聯(lián)電的專(zhuān)精製程，同時(shí)實(shí)現(xiàn)以最少的光罩增加及保持邏輯元件特性的目標(biāo)。我們還匯集了汽車(chē)級(jí)的可靠性和要求性能，使eCT成為Cypress新一代車(chē)用MCU產(chǎn)品Traveo?的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！?/p>

　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處的簡(jiǎn)山杰資深副總經(jīng)理亦表示：「聯(lián)華電子和Cypress在許多代技術(shù)上有著長(zhǎng)期的合作發(fā)展關(guān)系。我們的40LP已是適用于諸多市場(chǎng)領(lǐng)域的成熟量產(chǎn)技術(shù)，與較小的幾何尺寸製程相比，其缺陷密度和產(chǎn)量成果均獲得證實(shí)，可大幅降低產(chǎn)品成本，同時(shí)還解決了低功率和高效能的需求。聯(lián)電在臺(tái)灣、新加坡和中國(guó)的晶圓廠(chǎng)皆提供40LP的製程，可協(xié)助客戶(hù)降低地理位置的管理風(fēng)險(xiǎn)。我們很高興能擴(kuò)展聯(lián)電40LP製程的優(yōu)勢(shì)，支援Cypress的eCT技術(shù)，以提昇其MCU產(chǎn)品的差異化?！?/p>

　　憑藉其小元件尺寸、高性能和可靠性，eCT可提供從車(chē)用到工業(yè)到消費(fèi)性電子之廣泛應(yīng)用產(chǎn)品理想的解決方案。 此外，由于eCT技術(shù)具有相對(duì)較小的單元尺寸以及可擴(kuò)展性，未來(lái)透過(guò)28奈米及更先進(jìn)製程，將可確保其MCU產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖的競(jìng)爭(zhēng)性。

　　eCT的快閃記憶體技術(shù)可經(jīng)由Cypress取得授權(quán)。 有關(guān)更多的授權(quán)訊息，請(qǐng)透過(guò)ip_licensing@cypress.com聯(lián)繫Cypress。