第三季移動(dòng)DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機(jī)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價(jià)格同步上揚(yáng)，第三季行動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá)45.88億美元，季成長(zhǎng)約16.8%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋(píng)果iPhone 7與三星Note 7旗艦機(jī)型發(fā)布，讓全球行動(dòng)式內(nèi)存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動(dòng)作已為第三季行動(dòng)式內(nèi)存的營(yíng)收做出貢獻(xiàn)。

　　以三大DRAM廠行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收市占來(lái)看，三星半導(dǎo)體營(yíng)收持續(xù)擴(kuò)大到約64.5%，SK海力士約為22.8%，美光半導(dǎo)體為10.6%，三大主要DRAM廠的營(yíng)收占比達(dá)97.9%，而排名第四的南亞科僅有1.3%。

　　吳雅婷指出，第三季行動(dòng)式內(nèi)存占DRAM總營(yíng)收比例上升至43.5%，在Note 7停產(chǎn)后各品牌廠紛紛搶占三星失去的市場(chǎng)，且行動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢(shì)不變的情況下，預(yù)計(jì)今年第四季行動(dòng)式內(nèi)存在DRAM總營(yíng)收占比仍將持續(xù)擴(kuò)大。

　　三星仍為技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，獲利能力為三大DRAM廠最高

　　就三大DRAM廠競(jìng)爭(zhēng)能力分析，三星仍是行動(dòng)式內(nèi)存霸主，除20納米制程已進(jìn)入相當(dāng)成熟的階段，今年第四季更有LPDDR4 16Gb mono die正接受客戶(hù)的驗(yàn)證，其技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，如驗(yàn)證成功，2017年的高階手機(jī)將有望搭載8GB內(nèi)存。此外，其18納米制程技術(shù)也將于明年放量，有望進(jìn)一步提升三星半導(dǎo)體部門(mén)獲利。

　　SK海力士21納米制程良率正逐步提升，加上適逢手機(jī)傳統(tǒng)出貨旺季，其行動(dòng)式內(nèi)存的21納米制程的投片量也在第三季放大，SK海力士計(jì)劃將21納米制程良率推至更成熟的階段，明年下半年也將導(dǎo)入18納米的試產(chǎn)，提高自身競(jìng)爭(zhēng)力。

　　美光集團(tuán)先前由于財(cái)務(wù)狀況不穩(wěn)定，在行動(dòng)式內(nèi)存采取20/25納米并重的策略，并以華亞科20納米轉(zhuǎn)進(jìn)速度最快，專(zhuān)注于提供蘋(píng)果陣營(yíng)的需求，而非蘋(píng)果陣營(yíng)的行動(dòng)式內(nèi)存需求交由廣島廠與臺(tái)灣美光內(nèi)存的25納米制程供應(yīng)比重較高。明年美光集團(tuán)也有望導(dǎo)入18納米制程。

　　臺(tái)系DRAM廠方面，受惠于行動(dòng)式內(nèi)存的生產(chǎn)比重提升，加上行動(dòng)式內(nèi)存漲價(jià)，南亞科在全球DRAM廠季營(yíng)收市占從1.1%提升至1.3%。目前南亞科廠內(nèi)正進(jìn)入20納米制程轉(zhuǎn)換工程，該制程的行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)能將于明年開(kāi)出。

　　華邦電子第三季在全球DRAM廠的營(yíng)收市占與上季持平，約0.8%，整體營(yíng)收在客制化產(chǎn)品與ASIC產(chǎn)品價(jià)格提升后小幅成長(zhǎng)，華邦電子新制程38納米有機(jī)會(huì)于今年少量生產(chǎn)，且將優(yōu)先利用在利基型內(nèi)存與行動(dòng)式內(nèi)存上。