武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃 著手3D NAND研發(fā)

　　大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。

　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。

　　韓聯(lián)社引述EE Times對日本分析師訪問指出，武漢新芯想趕上三星至少還需要3~4年時(shí)間，而認(rèn)為武漢新芯想消除與韓廠之間的技術(shù)差距，花費(fèi)時(shí)間可能不只如此的分析師也大有人在。

　　NAND Flash領(lǐng)域霸主三星市占率在31~35%左右，并擁有獨(dú)家3D NAND Flash堆疊技術(shù)。即便如此，全球業(yè)者對于3D NAND Flash領(lǐng)域龍頭三星的追逐戰(zhàn)仍在熱烈上演。

　　據(jù)EE Times的報(bào)導(dǎo)，三星與東芝(Toshiba)之間尚有1年的技術(shù)差距，由于東芝3D NAND Flash目前仍處于樣品水準(zhǔn)，而三星已進(jìn)入量產(chǎn)階段。依日本分析師研判，樣品與量產(chǎn)之間的技術(shù)差距大約為1年。

　　此外，英特爾(Intel)將位于大連的邏輯芯片12吋廠改造為3D NAND Flash工廠，正致力發(fā)展相關(guān)技術(shù);武漢新芯也為了突破初期技術(shù)限制，選擇與美商Spansion合作。

　　已被Cypress購并的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Spansion，自10年前就致力發(fā)展名為mirror-bit的3D NAND 技術(shù)。武漢新芯憑藉著對Spansion技術(shù)的信心，在2014年啟動(dòng)3D NAND計(jì)劃，預(yù)期2018年就可開始商業(yè)化生產(chǎn)。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS也評論武漢新芯的挑戰(zhàn)，對三星將是一大難題。由于大陸存儲(chǔ)器市場有55%的需求源自本國市場，因此政府為了達(dá)成半導(dǎo)體自產(chǎn)自銷的目標(biāo)，扶植存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的意志很強(qiáng)烈。對三星而言，現(xiàn)在大陸市場上最大的潛在對手就是武漢新芯。

　　另一方面，爾必達(dá)(Elpida)前CEO坂本幸雄與大陸安徽省合肥市政府合作成立半導(dǎo)體新廠兆基科技，還祭出延攬1,000名半導(dǎo)體工程師的獵人頭計(jì)劃，引發(fā)關(guān)注。兆基科技目前由10多名日本、臺灣工程師組成，在草創(chuàng)時(shí)期想吸引千名工程師似乎不太可能。