運用材料工程解決半導體行業(yè)技術拐點的挑戰(zhàn)

　　今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。

　　由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案化和保形沉積的材料被用于構建復雜結構，材料的可選擇性正成為一個必不可少的能力。

　　2016年下半年，我們預計邏輯芯片和晶圓代工廠的10nm 3D FinFET工藝將逐步實現(xiàn)量產(chǎn)。10nm平臺是晶體管制造中的重要技術，能維持晶體管性能的提升，遵照摩爾定律不斷增加存儲密度，從而使下一代芯片設計成為現(xiàn)實。然而，由于極紫外(EUV)光刻工具尚未普及，目前實現(xiàn)這一技術拐點仍需依賴多重曝光技術才能克服當前光學光刻分辨率的瓶頸。在DRAM工藝由20納米級向十幾納米過渡的過程中，多重曝光技術同樣重要，因其能實現(xiàn)存儲器件位密度的持續(xù)增加。盡管多重曝光技術支持元件的持續(xù)縮微，但其復雜的工藝對沉積和蝕刻的精度帶來了更嚴格的要求。

　　隨著芯片制造商競相進入技術拐點，他們將不斷增加對創(chuàng)新設備的投資。展望未來，我們預計2016年對半導體行業(yè)將是一個重要的轉折點，幾乎所有新建產(chǎn)能都將進入10nm/1Xnm時代。隨著越來越多的材料被用于生產(chǎn)先進的元器件設計，我們預計選擇性材料沉積和清除等尖端技術由于能在目標區(qū)域內(nèi)有選擇地清除或沉積材料，而不會觸碰或損壞周圍材料，有望在芯片制造中起到舉足輕重的作用，最終使創(chuàng)建互聯(lián)世界成為可能。

　　半導體行業(yè)的另一大重要趨勢是芯片制造和消費重心逐漸轉移到中國，這也為中國市場未來發(fā)展提供了巨大的機遇。盡管這同時也會為半導體行業(yè)帶來許多挑戰(zhàn)，但憑借強有力的政策護航和中央及地方政府的財政支持，加上“中國制造2025”戰(zhàn)略的逐步落實，我們相信中國的半導體產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪的發(fā)展契機。與此同時，中國也必須加快技術創(chuàng)新和人才儲備，才能在全球集成電路的大舞臺中扮演更加重要的角色。

　　作為半導體和平板顯示設備的領先供應商，應用材料公司深耕中國市場已三十余年，致力于與客戶共同推動中國集成電路行業(yè)的發(fā)展。公司將繼續(xù)借助在材料工程領域的技術專長，通過不斷的技術創(chuàng)新，幫助中國的集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)可持續(xù)增長。為應對市場需求和行業(yè)發(fā)展趨勢，應用材料公司也將與整個產(chǎn)業(yè)鏈的客戶攜手，培養(yǎng)世界一流的人才，來共同解決中國半導體產(chǎn)業(yè)進入新紀元后所面臨的技術拐點挑戰(zhàn)。