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Dracula LVS介紹

作者: 時(shí)間:2012-03-30 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

lvs command file的編寫相對(duì)于其他幾項(xiàng)來(lái)說(shuō)較為容易點(diǎn),重點(diǎn)部分就是節(jié)點(diǎn)信息的傳輸與器件的識(shí)別上。本篇前一部分講解常用的命令,后一部分是實(shí)例分析與具體的編寫的技術(shù)文檔。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/190571.htm

定義器件及器件:

ELEMENT MOS {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-d};;device layer+g+s/d+sub

ELEMENT CAP {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-s}

ELEMENT RES {[type]} layer-a layer-b {layer-d}

ELEMENT BJT {[type]} layer-a layer-b layer-c layer-d {layer-s}

ELEMENT DIO {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-s}

ELEMENT LDD {[type]} layer-a layer-b layer-c layer-d {layer-e}

ELEMENT PAD {[type]} layer-a layer-b

ELEMENT device layer-a layer-b {layer-c} {layer-d} {layer-e}

這些命令用來(lái)組合不同類型的器件,以device layer開(kāi)始,接著說(shuō)明器件的terminals,為了識(shí)別特殊的器件,還會(huì)常用到select 命令,比如lab[r] dio?, cut res等用法。

設(shè)定參數(shù):

Parameter res /cap {[type]} value1 {value2}

該命令類似lpe的attribute ,其中cap有value1, value2 以說(shuō)明面積及邊長(zhǎng)對(duì)電容值的影響。

節(jié)點(diǎn)信息傳輸命令:

Lvs對(duì)比主要是節(jié)點(diǎn)信息傳輸?shù)倪^(guò)程,在connect-layer中從下到上說(shuō)明可用于傳導(dǎo)的層次,并且在使用and, not命令時(shí)會(huì)自動(dòng)傳遞信息。使用connect命令來(lái)說(shuō)明層次間的傳遞。使用stamp命令使用在沒(méi)有在connect/ connect-layer中說(shuō)明的層的信息傳遞。

Connect layer-a layer-b BY cont-layer

Stamp stamped-layer by stamping-layer {output {[option]} c-name l-num {d-num}}

Connect-layer = layer1 layer2 …

實(shí)例操作:

延續(xù)上次LPE中的實(shí)例,增加了電阻與電容以增加器件的比對(duì),其中l(wèi)vs_test.cir為spice netlist,lvs_test為layout cell, lvs.com為這次實(shí)例所編寫的命令文件 。編寫的文件中,使用的*.resval, *.capval 及l(fā)vschk 選項(xiàng)resval, capval對(duì)比電阻、電容的值,增加lvschk[p] 增加電容端點(diǎn)順序的對(duì)比。版圖中電阻為nwell電阻加res層進(jìn)行識(shí)別,電容為gate電容加dummy層進(jìn)行識(shí)別。

15.jpg

Lvs_test.cir

*** SPICE file subckt lvs_test ****

.param

.global vss vdd

*.bipolar

*.resval

*.capval


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