5~12GHz新型復(fù)合管寬帶功率放大器設(shè)計
摘要 利用一種新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計了一款寬帶功率放大器,有效抑制了HBT的大信號Kink效應(yīng)。采用微波仿真軟件AWR對電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化和仿真,結(jié)果顯示,在5~12 GHz頻帶內(nèi),復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)的輸出阻抗值更穩(wěn)定,帶寬得到有效擴(kuò)展,最高增益達(dá)到11 dB,帶內(nèi)波動0.5 dB,在9 GHz工作頻率時,其1 dB壓縮點處的輸出功率為26 dBm。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/187687.htm關(guān)鍵詞 寬帶匹配;Kink效應(yīng);GaAs HBT;復(fù)合晶體管
隨著寬帶無線通信系統(tǒng)的不斷發(fā)展,對高靈敏度、大動態(tài)范圍、高效率的寬帶放大器的需求也越來越大,從某種意義上講,寬帶放大器性能的好壞直接決定著微波系統(tǒng)性能的優(yōu)劣。然而在寬帶放大器的設(shè)計過程中,砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)共發(fā)組態(tài)工作模式下的輸出反射系數(shù)S22,在某一頻率將會出現(xiàn)Kink 效應(yīng),因此采用HBT實現(xiàn)寬帶放大器時,會給工作頻帶跨越Kink點的寬帶輸出匹配設(shè)計帶來難題。目前,有效擴(kuò)展帶寬的方法有反比例級聯(lián)、并聯(lián)峰值、電容峰值、分布式放大器和fT倍頻器技術(shù)等。但這些方法都會不同程度地增加電路的復(fù)
雜度,需要占用更多的芯片面積。本文使用一種改善HBT Kink效應(yīng)的復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)來擴(kuò)展放大器的帶寬,簡化寬帶輸出匹配的設(shè)計。
自Shey-Shi Lu,Yo-Sheng Lin等人提出HBT的Kink效應(yīng)以來,關(guān)于該現(xiàn)象的小信號理論分析日臻成熟。文獻(xiàn)提出一種基于負(fù)反饋技術(shù)的新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu),能夠有效消除 HBT的小信號Kink效應(yīng)。但是有關(guān)于該現(xiàn)象的大信號研究較為罕見。
文中首先基于AWR軟件研究HBT的大信號Kink效應(yīng),其次分別采用新型HBT復(fù)合管和普通HBT管(以下分別簡稱復(fù)合管、普通管)來完成兩款寬帶功率放大器的設(shè)計。通過軟件仿真,結(jié)果表明:該新型HBT復(fù)合晶體管不但可以有效消除HBT的大信號Kink效應(yīng),而且還明顯擴(kuò)展放大器的帶寬,提高增益帶寬積,簡化輸出端的阻抗匹配設(shè)計。
1 新型HBT復(fù)合晶體管大信號特性
1.1 HBT的小信號Kink效應(yīng)
隨著頻率的升高,晶體管自身寄生電容Cce,Cbe,Cbc等對器件性能的影響明顯增加,使得HBT共發(fā)組態(tài)工作模式下的輸出反射系數(shù)S22在某一頻率處出現(xiàn)一拐點,這種現(xiàn)象稱為Kink效應(yīng),如圖1所示。另外隨著器件尺寸的增加,Kink效應(yīng)有增強(qiáng)的趨勢。
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