基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準
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4 仿真與分析
通過上面的分析，初步確定該電路各器件尺寸，在0．6μm CMOS工藝下采用HSpice軟件進行仿真可以得出，在3．3 V電源電壓下對溫度在-40～+85℃范圍內(nèi)進行直流掃描，基準電壓曲線如圖4所示。在25℃下，對電源電壓在2．6～5．5 V的范圍內(nèi)進行直流掃描，基準電壓曲線如圖5所示。據(jù)此計算出的基準電壓電源電壓調(diào)整率、溫度系數(shù)見表1。本文引用地址：http://2s4d.com/article/187387.htm
與國際上已有的和CMOS兼容的電壓基準電路的主要指標進行比較，結果如表2所示?？梢钥闯觯疚脑O計的CMOS基準的溫度漂移率TFC遠遠小于國際上已有的和CMOS兼容的電壓基準電路。
5 結語
本文所設計的基于CMOS工藝的基準電路結構較簡單，既沒有放大器，也沒有BJT，適合于標準CMOS工藝生產(chǎn)。通過HSpice驗證，其輸出基準電壓為1．22 V，在-40～+85℃內(nèi)溫度系數(shù)僅為30 ppm／℃。當電源電壓為2．6～5．5 V時，電源電壓調(diào)整率為1．996 mV／V，且溫度漂移率TFC遠遠小于國際上已有的和CMOS兼容的電壓基準電路，比較適合于標準CMOS工藝。
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