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基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

作者: 時間:2011-08-17 來源:網絡 收藏

3.2 有效負載電路
由圖2可知,電流I流過MOS管M15,ML1時:
k.jpg
l.jpg
由式(2)可知,載流子遷移率μ是溫度的高階函數,若近似認為μN,μP的溫度變化量相等,可將K看作常數,可得:
m.jpg
由式(3)和式(13)可知,取恰當的K值,即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長比,就可以使閾值電壓N和P的溫度系數相抵消,使VREF幾乎不隨環(huán)境溫度的變化而變化。
3.3 電路的優(yōu)化
在圖2中MOS管M12,M13,M14,M15起電流鏡像作用,可以將這4個管子省去,直接將負載管ML1接到M10和M11的漏極。這樣將圖2優(yōu)化成圖3就可以少4個MOS管,節(jié)省版圖面積。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/187387.htm

n.jpg



關鍵詞: CMOS VTH 電壓基準

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