一種新穎不帶電阻的基準電壓源電路設計
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通過上面分析可知，此方法可以得到一個與絕對溫度成正比(PTAT)的電流I1。具體實現(xiàn)電路如圖3所示。本文引用地址：http://2s4d.com/article/181254.htm
圖3電路中，M3～M6四個PMOS晶體管工作在飽和區(qū)，它們的寬長比相同。M1和M2兩個NMOS晶體管工作在飽和區(qū)，它們的寬長比為(W／L)2／(W／L)1=m。通過調節(jié)電路，使得M7～M10四個NMOS晶體管工作在深線性區(qū)?，F(xiàn)在討論電路的工作原理。
對于X點和Y點的對地電壓，可以分別表示為：
通過式(5)和式(15)可以看出，在這個電路中，式(5)的系數(shù)：
它是一個僅與器件尺寸有關，而與溫度無關的常數(shù)。
通過式(9)和式(10)可知，此電路可以產(chǎn)生一個與絕對溫度成正比的電流。
2 基準電壓的產(chǎn)生
對于一個工作在飽和區(qū)的二極管連接NMOS晶體管，如圖4所示，它的Vgs=Vds流過它的飽和漏電流為：
對于MOS管的閾值電壓Vth，它的一階近似表達式可以表示為：
式中：Vth0為MOS管工作在絕對零度時的閾值電壓；aVT為一個與溫度無關的常數(shù)；T-T0為溫度變化量。對于一個MOS管的遷移率μn：它的大小可以表示為：
μn=μn0(T／T0)-m (19)
式中：μn0為絕對溫度時MOS管的遷移率值；T0為絕對零度；T為溫度變化量；m為比例變化因子，它的典型值為1．5。
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