一種新穎不帶電阻的基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)
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對于NMOS晶體管M1和M2，其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2，那么圖3中電壓為：本文引用地址：http://2s4d.com/article/181254.htm
如果利用前面提到的兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的MOS管輸出電壓特性來控制兩個(gè)工作在飽和區(qū)的NMOS的柵極電壓Vgs1和Vgs2，使得：
式中：λ為比例常數(shù)。
將式(5)代入到式(3)可得：
對于參數(shù)KM1，它主要受晶體管遷移率λ的影響，通常被定義為：
式中：T為絕對溫度；α由工藝決定，典型值為1．5。將式(7)代人式(6)可得：
它為一個(gè)與溫度無關(guān)的常數(shù)。
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