低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計
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基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于電源調(diào)節(jié)器、A／D和D／A轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，以及各種測量設(shè)備中。近年來，隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展，低壓低功耗已成為當(dāng)今電路設(shè)計的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。比如，在一些使用電池的系統(tǒng)中，要求電源電壓在3 V以下。因此，作為電源調(diào)節(jié)器、A／D和D／A轉(zhuǎn)換器等電路核心功能模塊之一的電壓基準(zhǔn)源，必然要求在低電源電壓下工作。
在傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計中，輸出電壓常在1．25 V左右，這就限制了最小電源電壓。另一方面，共集電極的寄生BJT和運算放大器的共模輸入電壓，也限制了PTAT電流生成環(huán)路的低壓設(shè)計。近年來，一些文獻(xiàn)力圖解決這方面的問題。歸納起來，前一問題可以通過合適的電阻分壓來實現(xiàn)；第二個問題可以通過BiCMOS工藝來實現(xiàn)，或通過低閾值電壓的MOS器件來實現(xiàn)，但工藝上的難度以及設(shè)計成本將上升。
基于上面的考慮，本文首先對傳統(tǒng)的帶隙電壓源原理進(jìn)行分析，然后提出了一種比較廉價且性能較高的低壓帶隙基準(zhǔn)電壓源，采用電流反饋、一級溫度補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計了低壓CMOS帶隙基準(zhǔn)源電路，使其電路能工作在較低的電壓下。本文介紹這種帶隙電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計原理，給出了電路的仿真結(jié)果，并對結(jié)果進(jìn)行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process對電路進(jìn)行了仿真，得到理想的結(jié)果。
l 低壓COMS基準(zhǔn)電壓源設(shè)計
1．1 傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)源
圖1為帶隙基準(zhǔn)電壓源的原理示意圖。雙極性晶體管的基極-發(fā)射極電壓VBE，具有負(fù)的溫度系數(shù)，其溫度系數(shù)一般為-2．2 mV／K。而熱電壓VT具有正的溫度系數(shù)，其溫度系數(shù)在室溫下為十0．085 V／K。將VT乘以常數(shù)K并和VBE相加就得到輸出電壓VREF：
將式(1)對溫度T微分并代入VBE和VT的溫度系數(shù)可求得K，它使VREF的溫度系數(shù)在理論上為零。VBE受電源電壓變化的影響很小，因而帶隙基準(zhǔn)電壓的輸出電壓受電源的影響也很小。
圖2是典型的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路。兩個PNP管Q1，Q2的基極一發(fā)射極電壓差△VBE：
式中：J1和J2是流過Ql和Q2的電流密度。運算放大器的作用使電路處于深度負(fù)反饋狀態(tài)，使得節(jié)點1和節(jié)點2的電壓相等。即：
由圖2可得：
通過M1和M2的鏡像作用，使得I1和I2相等，結(jié)合式(4)和式(5)可得：
式中；A1和A2是Q1和Q2的發(fā)射極面積。比較式(5)和式(1)，可得常數(shù)K為：
在實際設(shè)計中，K值即為式(7)表示。
傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源結(jié)構(gòu)能輸出比較精確的電壓，但其電源電壓較高(大于3 V)，且基準(zhǔn)輸出范圍有限(1．2 V以上)。要在1．8 V以下的電源電壓得到1．2 V以下的精確基準(zhǔn)電壓，就必須對基準(zhǔn)源結(jié)構(gòu)上進(jìn)行改進(jìn)和提高。
1．2 低壓COMS基準(zhǔn)電壓源的電路設(shè)計
本設(shè)計基于CSMC-O．5μm-CMOS工藝(NMOS的閾值電壓為0．536 V，PMOS的閾值電壓為-0．736 V)。采用一級溫度補(bǔ)償、電流反饋技術(shù)設(shè)計的低壓帶隙基準(zhǔn)源電路如圖3所示。低壓帶隙基準(zhǔn)源的電流不僅用于提供基準(zhǔn)輸出所需的電流，也用于產(chǎn)生差分放大器所需的電流源偏置電壓，簡化了電路和版圖設(shè)計。
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