一個高可靠性的短路保護(hù)電路設(shè)計及其應(yīng)用
比較器輸入端的Vinp,因此比較器輸出信號Vcon為低電平,將關(guān)斷P功率管,實現(xiàn)短路保護(hù)。
當(dāng)P功率管關(guān)斷后,ID0=O,晶體管Vcon將截止,此時比較器Vinp輸入端電壓Vmin_OD取決于晶體管VM2、VM3、VM4組成的網(wǎng)絡(luò),只要保證Vmin_OD大于Vinm電壓(Vinm=VOUT=O),P功率管將一直處于關(guān)閉狀態(tài)。
接下來將分析VM2、VM3和VM4組成的網(wǎng)絡(luò)如何確保Vmin_OD大于0。分析電路可知,VM2、VM3工作在飽和區(qū),VM4工作在線性區(qū),因此ID3>ID4,ID4=ID2。
因此選取,即可得到Vinp>0。本文VM3的寬長比為VM2的寬長比的10倍,Vmin_OD=2.6 mV。
當(dāng)短路排除后,流過VM5的電流將對RC網(wǎng)絡(luò)充電,過t秒后Vinm(0UT)端電壓將大于Vmin_OD,電路正常工作。其中充電時間為:
式中IDM5為VM5的漏電電流,RL=VOUT/Imax,CL為負(fù)載電容,其中Imax是系統(tǒng)規(guī)定的最大負(fù)載電流。要使系統(tǒng)能正常啟動,IDM5必須滿足IDM5>VOUT/RL,因此合理選取參數(shù),就能正常啟動。
2 仿真結(jié)果與討論
基于TSMC O.18μm CMOS工藝,仿真結(jié)果如圖2~圖3所示。仿真結(jié)果表明輸出短路時,輸出電流為O,P功率管被關(guān)斷,實現(xiàn)短路保護(hù)。
圖3(a)所示曲線的仿真條件是輸出負(fù)載周期性地從0 Ω變化到5 Ω。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸出發(fā)生短路時(即負(fù)載為0),輸出電流被限制在最大電流值,這樣功率MOS管會消耗大量功耗,將加快器件的老化。本文引用地址:http://2s4d.com/article/180077.htm
圖3(b)所示曲線的仿真條件與圖3(a)的條件一樣。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸出發(fā)生短路時(即負(fù)載為0),輸出電流被限制為O,即功率MOS管被完全關(guān)斷,同時表明系統(tǒng)具有自動恢復(fù)的特點,即負(fù)載短路消除后,系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。
3 結(jié)論
在限流電路的基礎(chǔ)上,設(shè)計改進(jìn)一個短路保護(hù)電路,確保在短路情況下,徹底關(guān)斷功率MOS管,減少短路發(fā)生時系統(tǒng)損失的功耗。同時該電路具有以下特點:高可靠性、自動恢復(fù),即使地平面存在大量噪聲,當(dāng)短路發(fā)生時,穩(wěn)壓器的功率管截止,實現(xiàn)保護(hù),而短路一旦消除,穩(wěn)壓器的輸出將自動恢復(fù)到正常狀態(tài),有效地保護(hù)系統(tǒng)。在藍(lán)牙功率放大器電源管理電路中得到了很好應(yīng)用。
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